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J-GLOBAL ID：201802239651651371   整理番号：18A0968161

非バルク抵抗変化を示すNドープCr_2Ge_2Te_6相変化材料を用いた接触抵抗変化メモリ【JST・京大機械翻訳】

Contact resistance change memory using N-doped Cr₂Ge₂Te₆ phase-change material showing non-bulk resistance change

著者 (7件)： Shuang Y. (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Sutou Y. (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Hatayama S. (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Shindo S. (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Song Y. H. (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, South Korea) ,  Ando D. (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan) ,  Koike J. (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-11, Aoba-yama, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 18  ページ： 183504-183504-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)は,二つの状態間の可逆的スイッチングによる非晶質相と結晶相の間の大きな抵抗コントラストにより可能になる。したがって,より正確な読み取り操作を実現するために,大きな電気的コントラストを持つ潜在的な相変化材料(PCM)を同定するための大きな努力がなされている。対照的に,スケール化PCRAMセルにおける本当に支配的な抵抗は接触抵抗であるが,PCMと電極金属間の接触特性の研究に向けてはあまり注意が払われていない。本研究は,抵抗が接触によってのみ変調される非バルク抵抗性PCRAMを提案することを目的とした。ここで開発した接触抵抗支配PCMはNドープCr_2Ge_2Te_6(NCrGT)で,二相間の電気抵抗率差はほとんど無かったが,その大きな接触抵抗コントラストにより三桁のSET/RESET抵抗比を含む典型的なスイッチング挙動を示した。伝導機構をNCrGTとW電極間の界面の電流-電圧特性に基づいて議論した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  スイッチング ,  *相転移 ,  コントラスト ,  界面 ,  金属 ,  *接触抵抗 ,  電流電圧特性 ,  *ドーピング ,  RAM【メモリ】 ,  伝導機構 ,  *相変化材料 ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： 結晶相 ,  *ReRAM ,  *抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  抵抗変化 ,  ドープ ,  相変化材料 ,  抵抗変化メモリ