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J-GLOBAL ID：201802239780620955   整理番号：18A1044595

先進技術ノードにおける設計ベースの自動欠陥分類:DI:欠陥検査と低減【JST・京大機械翻訳】

Design based automatic defect classification at advanced technology nodes: DI: Defect inspection and reduction

著者 (7件)： Shah Jay (Applied Materials, 10 Stonebreak Road, Suite 2, Malta, NY 12020) ,  Jain Abhinav (Applied Materials, 10 Stonebreak Road, Suite 2, Malta, NY 12020) ,  Levitov Felix (Applied Materials, 10 Stonebreak Road, Suite 2, Malta, NY 12020) ,  Yasharzade Shay (Applied Materials, 10 Stonebreak Road, Suite 2, Malta, NY 12020) ,  Sheridan John G. (Characterization CFM, GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY) ,  Nguyen Vu (Characterization CFM, GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY) ,  Nguyen Hoang (Characterization CFM, GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ASMC  ページ： 270-275  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体産業は,より小さく,より小さいノードへの進歩を続けているので,Defect Review走査電子顕微鏡(DR-SEM)とADC(Automic Defect分類)は,ますます困難な課題に直面している。干渉(DOI)の定義は特徴の縮小として収縮し,スケールに基づいて純粋に画像化困難をもたらす。また,より複雑な欠陥解析が,複数のパターン形成段階または以前の段階で生成されたDOIの間に形成されたDOIのために必要である。ADCへのスマートなアプローチを採用しなければならない。それは,短いサイクル時間における根本原因分析と収率予測に焦点を合わせた高品質の欠陥分類を可能にする。本論文では,新しいアプローチ:設計ベースADC(DBA)からの結果を示した。ここでは,現在のDR-SEMとADCプラットフォームによる設計情報を結合し,優れたロバストな分類に導いた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  パターン形成 ,  予測 ,  ロバスト性 ,  画像処理 ,  *欠陥検査 ,  干渉 ,  半導体工業
準シソーラス用語： 設計情報 ,  高品質 ,  根本原因分析法 ,  サイクルタイム ,  欠陥解析 ,  画像化 ,  *欠陥分類 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 先進技術 ,  ノード ,  設計 ,  欠陥分類 ,  DI ,  欠陥検査