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J-GLOBAL ID：201802239870250327   整理番号：18A1151084

ESD研究に対するSiC MOSFETのロバスト性:電気的およびスペクトル的光放出特性化の間の相関【JST・京大機械翻訳】

SiC MOSFET robustness to ESD study: Correlation between electrical and spectral photo-emission characterizations

著者 (3件)： Moultif Niemat (Normandy University, University of Rouen, Groupe Physique des Mate ́riaux, UMR CNRS 6634, Site de Madrillet, Avenue de l’Universite ́ - B.P 12. St Etienne de Rouvray 76801 France) ,  Joubert Eric (Normandy University, University of Rouen, Groupe Physique des Mate ́riaux, UMR CNRS 6634, Site de Madrillet, Avenue de l’Universite ́ - B.P 12. St Etienne de Rouvray 76801 France) ,  Latry Olivier (Normandy University, University of Rouen, Groupe Physique des Mate ́riaux, UMR CNRS 6634, Site de Madrillet, Avenue de l’Universite ́ - B.P 12. St Etienne de Rouvray 76801 France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： MELECON  ページ： 260-264  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,スペクトル光電子放出技術(SPE)を用いた光子放出により,静電放電(ESD)に対するSiCパワーMOSFETのロバスト性を研究することを目的とした。光電子放出PEの研究により,劣化の特徴を明らかにした。SPE分析を行い,破壊機構を同定した。ESD劣化は酸化物分解に関連すると思われる。この仮説を証明するために,C-V解析を行った。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  光電子放出 ,  *発光 ,  *ロバスト性 ,  *炭化ケイ素 ,  *スペクトル ,  酸化物
準シソーラス用語： 破壊機構 ,  パワーMOSFET ,  静電気放電 ,  光子放射 ,  SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： ESD ,  研究 ,  SiC ,  MOSFET ,  ロバスト性 ,  スペクトル ,  光放出 ,  特性化 ,  相関