文献

J-GLOBAL ID：201802239922212377   整理番号：18A0466547

Si(100)-2×1表面上のGeの超薄膜【Powered by NICT】

Ultrathin films of Ge on the Si(100)2 × 1 surface

著者 (3件)： Kamaratos M. (Department of Physics, University of Ioannina, PO Box 1186, 451 10, Ioannina, Epirus, Greece) ,  Sotiropoulos A.K. (Department of Physics, University of Ioannina, PO Box 1186, 451 10, Ioannina, Epirus, Greece) ,  Vlachos D. (Department of Physics, University of Ioannina, PO Box 1186, 451 10, Ioannina, Epirus, Greece)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 50  号： 2  ページ： 198-204  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge/Si(100)2×1界面をAuger電子分光法,低エネルギー電子回折,熱脱着分光法および仕事関数測定により調べ,数単分子層の領域であった。結果は室温でのGeの成長は,基板への顕著な混合や相互拡散がなく熱的に安定な非晶質界面を形成し,最大約1100Kのアニーリングであることを示している,Ge-Si相互作用は,一番外側のけい素原子面で起こる可能性が最も高い。GeとSiの間の電荷移動は無視できる,むしろ共有結合を示していると思われる。Ge被覆層の形態は,成長モードは蒸着中の基板温度に依存し,文献と一致した。ゲルマニウム被覆基板(>1100 K)の強いアニーリングはGe吸着原子ではなく,SiGeとGe_2種の脱離を引き起こした。これはおそらく熱Ge-Si相互拡散に起因した。その場合,より深いシリコン面はGe-Si相互作用に関与している。1200K以上では,新しいGe超構造(4 × 4)R45~Oが観察された。対称性に基づいて,原子モデルを提案し,Ge吸着原子対は自由シリコンダングリングボンドと相互作用する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸着 ,  *超薄膜 ,  Auger分光法 ,  相互拡散 ,  焼なまし ,  仕事関数 ,  *ゲルマニウム ,  界面 ,  単分子層 ,  被覆 ,  被覆層 ,  低速電子回折 ,  *ケイ素 ,  相互作用
準シソーラス用語： 吸着原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 吸着 ,  AES ,  ゲルマニウム ,  LEED ,  シリコン ,  TDS ,  WF

分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  非金属化合物  (CD01070R)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  Ge ,  超薄膜