抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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振興成長市場は,高い性能,より高い帯域幅,低消費電力だけでなくモバイルアプリケーションにおける機能性増加のための運転需要が存在する。実装技術はこれまで以上に挑戦的で複雑になっている,シリコン(Si)ノード,より微細なバンプピッチと同様に微細線幅と間隔基板製造能力は,半導体産業の増大する要求を満足させるために駆動する。パッケージの増加入力/出力(I/O)数は,モバイル機器が必要であるとして,パッケージ的解決法はこれらの要求を満たすためにフリップチップ相互接続に従来のワイヤボンドパッケージから移動している。フリップチップチップスケールパッケージ(fcCSP)は多機能と雑多なモバイル応用を持つ複雑で高度に統合されたシステムのための魅力的な解決策と見なされている。新興市場は高性能モバイル機器における先端技術を推進しているが,組立コストはまだ検討すべき主要な問題である。基板コストは常にフリップチップパッケージにおける重要な要因として,低コスト基板とフリップチップアセンブリは,産業における熱い話題となっている。埋め込まれた微量基質(ETS)と成形相互接続基板(MIS)上の銅カラム結合に及ぼす鉛(BOL)構造を持つ相互接続フリップチップは,低コスト需要のための広く採用されている。さらに,銅カラム結合に及ぼす鉛(BOL)と強化されたプロセス(fcCuBE(R))によるフリップチップ相互接続は,コスト有効質量リフロー(MR)製造プロセスを使った高性能な実装の解決策を提供するのを助けることができる。低コストフリップチップパッケージを開発するために,fcCuBE(R),低コスト基板とパッケージプロファイル技術によるフリップチップパッケージを評価した。反り/共平面性挙動と長期パッケージ信頼性データ異なる基板フォーマットを用いたとき,四層コア基板とコアレスETSのような,フリップチップパッケージにおける異なるプリプレグの厚さだけでなく,二層MISで三~二層コアレスETSについても検討する予定である。これらの結果を通して,だけでなく低コスト基質を採用できるfcCuBE(R)における銅カラム技術を用いたロバストなフリップチップバンププロセスを示したが,それはまた,バンプピッチ低減,性能向上とSiノード低減を達成することができる。はこの成功したデータは,フリップチップパッケージは高集積化,小型化,低プロファイルで費用対効果に優れたパッケージソリューションのための実現技術であるかを示すことができると信じられている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】