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J-GLOBAL ID:201802240136160525   整理番号:18A0442971

二重側SiPモジュール技術のための熱的キャラクタリゼーション【Powered by NICT】

Thermal characterization for dual side SiP module technology
著者 (7件):
資料名:
巻: 2017  号: EPTC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電子製品の開発動向小型,高速,高効果と低価格化に向けて。パッケージの大きさは現段階で小さくなる。パッケージだけでなく,SIP(システムパッケージ)モジュールは同じ傾向になってきている。側で有限体積側とSIPで使用される多くの装置である。モジュールの機能は2.4Gおよび5G間のWi-Fiスイッチである。FI SIPモジュールは,モバイル機器と携帯電話で使用される大きな数である。,2.4Gと5gのSIPモジュールの性能に集中していた。は非常に小さい構造においてますます機能設定,素子を駆動するにも平均SIPモジュール電力以前より必要がある。より消費電力は熱性能の関心が貧弱になる。今までのところ,SIPモジュールについてデバイスは単一側構造にことを示した。さしあたり片面構造は光の要求を満たすことができない。新しい構造の列車では二重側モデリングは,単一側よりも約28%SIPモジュール面積を減少させることができる。モジュール面積を低減に対する最大の挑戦は,デバイスは重複である。デバイス重複は電力消費効果よりも高い温度上昇の影響をもたらすであろう。高い周囲温度で運転した場合,劣った熱的性能は,SIPモジュールを停止させるであろう。,貧弱な熱性能を固定し,最大約30°Cを改善のためのいくつかの構造の設計本研究では,熱シミュレーションを用いたSIPモジュールの熱的性能を解析した。も同時にIRカメラと熱電対によるSIPモジュールのための熱測定を行った。誤差量はシミュレーションと測定の間の検証のための約8.4%であることができる。これは,将来のシミュレーション結果を予測する上で信頼されるであろう。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (3件):
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