文献

J-GLOBAL ID：201802240318406415   整理番号：18A0125619

HEM法による高融解セスキオキシド結晶成長中の界面形状の制御【Powered by NICT】

Control of interface shape during high melting sesquioxide crystal growth by HEM technique

著者 (3件)： Hu Kaiwei (School of Aerospace Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zheng Lili (School of Aerospace Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhang Hui (Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 483  ページ： 175-182  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱交換器法(HEM)系における結晶成長の間,成長界面の形状は成長過程,結晶サイズを制限し,結晶の品質を低下させるの進行と共に変化した。本論文では,三二酸化物結晶の成長のための界面形状を制御するために提案した修正HEMシステム。数値シミュレーションは熱交換器法による高融点三二酸化物結晶の成長中の熱伝達,融液流と界面形状を予測した。結果は,平坦あるいはわずかに凸状界面形状は,融液/結晶界面前面の溶質蓄積を減少させ,三二酸化物結晶の成長中の結晶内部の半径方向温度勾配を減少させるために有益であることを示した。界面形状は成長中のギャップサイズD及び低い抵抗加熱器電力を調整することにより制御することができた。成長速度及び融液/結晶界面の位置は,二つの測定された温度によって得ることができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *界面 ,  熱伝達 ,  *結晶 ,  成長速度 ,  *形態 ,  抵抗加熱 ,  酸化物 ,  半径方向 ,  温度勾配 ,  結晶粒界 ,  熱交換器 ,  *結晶成長 ,  凸形
準シソーラス用語： 融液 ,  数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1界面 ,  A1計算機シミュレーション ,  A2融液からの成長 ,  B1酸化物

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： HEM ,  融解 ,  結晶成長 ,  界面