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J-GLOBAL ID：201802240406539178   整理番号：18A0968535

単層HfS_2およびSnS_2におけるバンド端状態,固有欠陥およびドーパント【JST・京大機械翻訳】

Band edge states, intrinsic defects, and dopants in monolayer HfS₂ and SnS₂

著者 (3件)： Lu Haichang (Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, United Kingdom) ,  Guo Yuzheng (College of Engineering, Swansea University, Swansea SA1 8EN, United Kingdom) ,  Robertson John (Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB2 1PZ, United Kingdom)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 6  ページ： 062105-062105-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層HFS_2とSnS_2はMoS_2のような直接バンドギャップを持たないが,それらははるかに高いキャリア移動度を有する。それらのバンドオフセットは,トンネル電界効果トランジスタにおけるWSe_2を用いるために好ましい。ここでは,これら二カルコゲン化物の有効質量,固有欠陥,および置換ドーパントを研究した。HFS_2は,部分的にイオンと思われる化合物に対して驚くほど小さい有効質量を持つことを見出した。HFS_2中のS空格子点は浅いドナーであるが,SnS_2中のS空格子点は深いドナーであることが分かった。Sサイトの置換ドーパントは浅いことが分かった。このことはドナーとアクセプタが常に浅くないか,またはドーパントが深い非ドーピング配置に再構成できる黒色リンをもつMoS_2と対照的である。HFS_2は,HfO_2を成長させるために開発されたより便利なCVD前駆体を有するので,半導体処理に対してMoS_2よりも好ましいことが指摘された。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： リン ,  ドナー ,  バンドオフセット ,  有効質量 ,  アクセプタ ,  ドーピング ,  半導体 ,  キャリア移動度 ,  *単一層 ,  前駆体 ,  *ドーパント
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ ,  直接バンドギャップ ,  *固有欠陥 ,  *バンド端 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  バンド ,  端状態 ,  固有欠陥 ,  ドーパント