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J-GLOBAL ID：201802240460182095   整理番号：18A2029284

負の容量,nチャネル,Si FinFET 二方向性サブ60MV/DEC,負のDIBL,負の微分抵抗,および改善された短チャネル効果【JST・京大機械翻訳】

Negative Capacitance, n-Channel, Si FinFETs: Bi-directional Sub-60 mV/dec, Negative DIBL, Negative Differential Resistance and Improved Short Channel Effect

著者 (9件)： Zhou Hong (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Kwon Daewoong (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Sachid Angada B. (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Liao Yuhung (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Chatterjee Korok (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Tan Ava J. (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Yadav Ajay K. (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Hu Chenming (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.) ,  Salahuddin Sayeef (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, 94720, U.S.A.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSI Technology  ページ： 53-54  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 450nm~30nmの種々のチャネル長(L_CH)と200nm~30nmの多重フィン幅(W_FIN)を有する絶縁体(FDSOI)基板上のゲート誘電体として強誘電Hf_0.5Zr_0.5O_2(HZO)を有する負容量(NC)FinFETについて報告した。NCFETから期待されるすべての署名特性を実証した。ほとんどヒステリシスのない動作(約3mV),<60mV/10年のサブ閾値スイング(SS)で,平均SSは54.5mV/decであり,Si MOSFET,負の降雨誘起バリア(DIBL)と負の微分抵抗(NDR)で初めてのものである。注目すべきことに,著者らは,制御FinFETと比較して,短チャネル効果における著しい改善を観察した。SSとDIBLは,同じL_ch/W_Fin比に対してNCFETに対して実質的に低かった。重要なことに,これらの利点はより短いチャネル長に対してますます大きくなる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フィン ,  多重化 ,  MOSFET ,  降雨 ,  *短チャネル効果 ,  ゲート絶縁膜 ,  *チャネル ,  ヒステリシス ,  絶縁体
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  FDSOI ,  チャネル長 ,  *微分抵抗 ,  *DIBL ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (9件)： Nチャネル ,  Si ,  FinFET ,  方向性 ,  サブ ,  DEC ,  DIBL ,  微分抵抗 ,  短チャネル効果