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J-GLOBAL ID：201802240501673539   整理番号：18A1066905

リセス表面の熱処理によるGaN-MOSFETのチャネル移動度の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of Channel Mobility of GaN-MOSFETs With Thermal Treatment for Recess Surface

著者 (8件)： Uesugi Kenjiro (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwaiku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Shindome Aya (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwaiku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Kajiwara Yosuke (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwaiku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Yonehara Toshiya (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwaiku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Kato Daimotsu (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwaiku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Hikosaka Toshiki (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwaiku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Kuraguchi Masahiko (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwaiku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Nunoue Shinya (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwaiku, Kawasaki 212-8582, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 10  ページ： e1700511  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaN-MOSFETの凹表面のためのNH_3雰囲気下での熱処理技術を開発した。これらの構造の底面は粗い表面を持ち,プラズマ誘起損傷のためにステップテラス構造を観察できない。しかし,明確なステップテラス構造が熱処理により形成され,表面粗さのRMS値は0.26から0.14nmに減少し,成長したエピタキシャル膜のそれに匹敵した。さらに,熱処理により,リセス作製過程で導入された不純物原子の濃度が減少することを確認した。熱処理なしのGaN-MOSFETのチャネル移動度は118cm~2Vs-1であるが,作製プロセスが熱処理を含むデバイスのチャネル移動度は149cm~2Vs-1に増加した。これらの結果は,NH_3雰囲気下での熱処理がGaN-MOSFETのオン状態抵抗を低減するのに有効であることを示している。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *熱処理 ,  プラズマ ,  凹形 ,  *MOSFET ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： オン状態 ,  エピタキシャル膜 ,  *チャネル移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： チャネル移動度 ,  GaN ,  MOSFET ,  リセスゲート ,  熱処理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱処理 ,  GaN ,  MOSFET ,  チャネル移動度