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J-GLOBAL ID：201802240820963765   整理番号：18A0423466

負の電子親和力の光電陰極のためのIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)表面におけるZnドーピング:第一原理研究【Powered by NICT】

Zn doping in the In_0.53Ga_0.47As(100)β₂(2 × 4) surface for negative electron affinity photocathode: A first-principles research

著者 (5件)： Guo Jing (School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China) ,  Long Li (School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China) ,  Yang Mingzhu (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210044, China) ,  Zhao Jing (School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China) ,  Zhou Lei (School of Automation, Nanjing Institute of Technology, Nanjing 211167, China)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 158  ページ： 355-362  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAsは1 3μmの近赤外領域で良好なスペクトル応答を有する重要な三元III-V半導体材料である。負電子親和性はIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)表面の適切な感作から発生させた。InGaAs光電陰極の調製に不可欠であるドーピングと増感。しかし,InGaAsの表面ドーピング機構は明らかではない。In_0In0.53Ga_0Ga0.47As(100)β_2(2 × 4)表面に及ぼす鋭敏化のための置換Zn原子の適切なドーピングサイトに焦点を当てた。対称性を考慮して,八ドーピングサイトであり,八ドーピング表面モデルが形成された。これらモデルの表面原子構造と表面形成エネルギーを議論した。形成エネルギーが低いほど,より安定な表面である。Zn4とZn5は形成エネルギーの解析に基づいて,より安定なドーピングモデルである。バンド構造,表面電荷分布,仕事関数および光学的性質は,これらの二種のドーピングモデルについて議論した。Zn4ドーピング表面は低い仕事関数と反射率とZn5より1 3μmの範囲の良好な吸収を示した。一言で言えば,Zn4ドープしたInGaAs表面は光電子輸送と光電子放出へのにより効果的である。Zn4InGaAs光電陰極のための最も好ましいドーピングサイトである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反射率 ,  光電子 ,  *第一原理 ,  *光電陰極 ,  電荷分布 ,  *ドーピング ,  *電子親和力 ,  仕事関数 ,  光学的性質 ,  光電子放出 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *亜鉛 ,  バンド構造 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Znドーピング ,  (100)β_2(2 × 4)表面As In_0In0.53Ga_0Ga0.47 ,  形成エネルギー ,  電子構造

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子親和力 ,  光電陰極 ,  Zn ,  ドーピング ,  第一原理 ,  研究