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J-GLOBAL ID：201802240922208147   整理番号：18A0623874

開発されたチャネルを有する信頼性の高いナノ-SOI・における電場の適切な静電変調【Powered by NICT】

Proper Electrostatic Modulation of Electric Field in a Reliable Nano-SOI With a Developed Channel

著者 (2件)： Anvarifard Mohammad Kazem (Department of Engineering Sciences, Faculty of Technology and Engineering, East of Guilan, University of Guilan, Rasht, Iran) ,  Orouji Ali Asghar (Department of Electrical and Computer Engineering, Semnan University, Semnan, Iran)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 4  ページ： 1653-1657  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はナノシリコン・オン・インシュレータ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのための電場の分布を改質する有用な概念を記述した。から利益を得る方法は,チャネル領域ドレイン領域への部分を開発することである。この技術は発達したチャネル/ドレイン領域界面における余分なピーク電場の生成とチャネル電荷を調節する。結果として,チャネルの終わりに新しく提案した構造の臨界電場を成功裏に緩和される。直流および交流研究は新しいデバイスは今日の産業で広く利用されている一般的なデバイスよりもより信頼性あることを明らかにした。常用と提案された構造の評価は,SILVACOファミリーからATLASシミュレータによって処理される。短チャネル効果,ホットキャリア効果,スイッチング速度,電力利得と寄生容量の場合の重要なパラメータは,提案したデバイスの優れた電気的性能に関する最良の意思決定を達成するために包括的に研究した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  半導体 ,  意思決定 ,  短チャネル効果 ,  *信頼性 ,  交流 ,  シミュレータ ,  *チャネル ,  ホットキャリア ,  界面 ,  酸化物 ,  *電場 ,  漂遊容量 ,  電荷
準シソーラス用語： スイッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 開発 ,  チャネル ,  SOI ,  電場 ,  変調