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J-GLOBAL ID：201802240943843797   整理番号：18A0796801

高温,マイクロコントローラベースのSILAR堆積によって得られたZnO膜の性質に及ぼす堆積後アニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of post-deposition annealing on the properties of ZnO films obtained by high temperature, micro-controller based SILAR deposition

著者 (4件)： Ashith V.K. (Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, Karnataka 576104, India) ,  Rao Gowrish K. (Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, Karnataka 576104, India) ,  Moger Sahana N. (Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, Karnataka 576104, India) ,  R Smitha (Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, Karnataka 576104, India)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 9  ページ： 10669-10676  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO薄膜を,高い前駆体温度での逐次イオン層吸着と反応(SILAR)法により調製した。膜は後に異なる温度で堆積後アニーリングを行った。このアニーリング過程は膜の構造的及び光学的性質を改善するので有益であることが分かった。SILARで得られたZnO膜は六方晶結晶構造の多結晶であることが分かった。膜の結晶子サイズはアニーリング後にかなり増加した。アニールした膜はバンドギャップの限界変化を伴うUV領域で非常に高い吸収を示した。結晶子サイズと光学的吸光度の両方がアニーリング温度と共に比例して増加することが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  *酸化亜鉛 ,  吸着 ,  *焼なまし ,  六方晶系 ,  *高温 ,  吸光度 ,  バンドギャップ ,  前駆体 ,  多結晶 ,  結晶粒径 ,  イオン ,  光学的性質
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  ZnOフィルム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO ,  SILAR ,  アニーリング ,  結晶構造 ,  光学吸収

分類 (3件)： 電池一般  (YB04010O) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： マイクロコントローラ ,  堆積 ,  ZnO ,  性質 ,  アニーリング