文献

J-GLOBAL ID：201802241019091857   整理番号：18A0446872

GeSn/Ge CVDエピタキシャル成長と最適選択エッチングによるSi上のI_on=1850μA/μm(V_ov=V_ds= 1V)の最初の垂直に積層したGeSnナノワイヤpGAAFETs【Powered by NICT】

First vertically stacked GeSn nanowire pGAAFETs with I_on = 1850μA/μm (V_ov = V_ds = -1V) on Si by GeSn/Ge CVD epitaxial growth and optimum selective etching

著者 (7件)： Huang Yu-Shiang (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lu Fang-Liang (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Tsou Ya-Jui (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Tsai Chung-En (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lin Chung-Yi (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Huang Chih-Hao (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Liu C. W. (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 37.5.1-37.5.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CVD法による200mm SOIウエハ上のGe障壁によりサンドイッチされた圧縮歪GeSn量子井戸の高材料品質は,逆格子空間マッピング(RSM),X線回折(XRD),および光ルミネセンス(PL)によって確認した。SOI上の緩和Geバッファの成長のために,不整合転位がGeバッファ/SOI界面近傍に閉じ込められた,積層GeSnチャネルにおける低欠陥密度を得た。GeSnとGeの間のCl_2/HBrの低い選択性は,Ge障壁をエッチングして積層デバイスのためのチャネル放出を行うことを不可能にする。[Sn]=6%,正孔濃度=1.3E19cm~ 3,およびチャネル長(L_CH)=150nmを持つ積層二GeSnナノワイヤの最適H_2O_2エッチングによるチャネル放出は無接合(JL)デバイスのためのI_on/チャネル幅=1400μA/μmが得られた。I_on=1850p.A/pμmの記録値に到達するイオンの更なる改善は,6.7E19cm~ 3~10%,正孔濃度への[Sn]の増加と60nmにL_CHを減少させることにより達成した。I_onの付加的な6.3%増強はウエハ曲げを用いた付加的な一軸圧縮歪により得られる。84mV/decと88mV/decの最良のSS値は単線と積層二線チャネルに対してそれぞれ得られた。JLはそのバルク伝導性に起因する反転モード(IM)よりも低周波(LF)雑音を有した。JLとIMの移動度は不純物散乱とフォノン散乱が支配的であり,それぞれ,温度依存性に従った。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  量子井戸 ,  移動度 ,  *ケイ素 ,  欠陥密度 ,  光ルミネセンス ,  *ゲルマニウム ,  温度依存性 ,  *ナノワイヤ ,  緩和現象 ,  化学蒸着 ,  チャネル ,  *エピタクシー ,  *エッチング
準シソーラス用語： 圧縮歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  CVD ,  エピタキシャル成長 ,  選択エッチング ,  Si ,  ナノワイヤ