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J-GLOBAL ID：201802241092627873   整理番号：18A1591527

バイアス基板上のホットターゲットマグネトロンスパッタリングによるCr膜の堆積【JST・京大機械翻訳】

Deposition of Cr films by hot target magnetron sputtering on biased substrates

著者 (9件)： Sidelev Dmitrii V. (Tomsk Polytechnic University, Lenin Avenue 2a, Tomsk 634050, Russia) ,  Bestetti Massimiliano (Tomsk Polytechnic University, Lenin Avenue 2a, Tomsk 634050, Russia) ,  Bestetti Massimiliano (Politecnico di Milano, Department of Chemistry, Materials and Chemical Engineering “Giulio Natta”, Milano, Italy) ,  Bleykher Galina A. (Tomsk Polytechnic University, Lenin Avenue 2a, Tomsk 634050, Russia) ,  Krivobokov Valery P. (Tomsk Polytechnic University, Lenin Avenue 2a, Tomsk 634050, Russia) ,  Grudinin Vladislav A. (Tomsk Polytechnic University, Lenin Avenue 2a, Tomsk 634050, Russia) ,  Franz Silvia (Politecnico di Milano, Department of Chemistry, Materials and Chemical Engineering “Giulio Natta”, Milano, Italy) ,  Vicenzo Antonello (Politecnico di Milano, Department of Chemistry, Materials and Chemical Engineering “Giulio Natta”, Milano, Italy) ,  Shanenkova Yuliya L. (Tomsk Polytechnic University, Lenin Avenue 2a, Tomsk 634050, Russia)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 350  ページ： 560-568  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cr膜を,接地およびバイアス基板上にホットターゲットマグネトロンスパッタリングにより蒸着した。低および高蒸着速度(異なる4倍)の堆積モードを選択した。高温Crターゲットの昇華は,イオン衝撃下での成長膜の再スパッタリング効果を減少させ,堆積速度の28.7から13.4%への損失(-40Vバイアスと1.9kW放電パワー)を減少させた。基板上のエネルギー束密度の計算から,主な寄与はターゲット放射(56.2~85.5%)を有し,堆積粒子とイオン(4.8~34.3%)の運動エネルギーは基板バイアスによってのみ顕著になることが明らかになった。XRD測定は,高速堆積モードに対するバイアス電圧に依存しない圧縮応力(0.48~0.90GPa)をもつ立方構造(110)Cr膜を示した。Cr膜は主に柱状構造を有し,柱状幅は放電パワー(W)の上昇と共に50から450nmに増加した。基板バイアスと高蒸着速度は,多孔質から柱状状態へのそれらの厚さに沿ったCr膜の不規則な微細構造の形成をもたらした。押込み試験は,低および高蒸着速度のバイアス基板上への蒸着に対して,Wからの膜硬度および靭性(H/E)の強い依存性およびCr膜の機械的性質の異なる挙動を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バイアス ,  圧縮応力 ,  硬度 ,  高速度 ,  放電 ,  多孔性 ,  靱性 ,  *基板 ,  X線回折 ,  堆積速度 ,  微細構造 ,  *クロム ,  *マグネトロンスパッタリング
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  蒸着速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ホットターゲットスパッタリング ,  Cr膜 ,  基板バイアス ,  構造 ,  機械的性質

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： バイアス ,  Cr ,  堆積