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J-GLOBAL ID:201802241107505779   整理番号:18A1900009

SnBiはんだ接合のエレクトロマイグレーションと熱マイグレーションに及ぼすヘテロ接合材料の影響【JST・京大機械翻訳】

Hetero-connecting materials effect on the electromigration and thermalmigration of SnBi solder joints
著者 (5件):
資料名:
巻: 2018  号: ICEPT  ページ: 109-111  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電子製品の設計が小型化され,高度に集積される傾向があるので,はんだ接合のエレクトロマイグレーションは電流密度の増加により主要な問題となっている。はんだ継手のエレクトロマイグレーション効果は,高電流密度におけるはんだの微細構造の進展と破壊を引き起こすことができることを実証した。同時に,エレクトロマイグレーション中に大量のJoule熱が発生し,それが温度と熱移動の不均一分布をもたらす。エレクトロマイグレーションと熱マイグレーションは,はんだ接合部破壊を引き起こす主要因である。本論文の目的は,電気的および熱的場の影響下でSnBiはんだ接合に及ぼすヘテロ接合材料の影響を調べることである。本論文では,異なる基板を持つ線形Sn58Biはんだ継手を用いた。はんだ付けのピークリフロー温度は205°Cであった。Cu/Ni継手とCu/Cu継手間の主な元素移動の違いを比較し,それぞれの構造の破壊挙動を検討した。SEMとEDX分析により,形態と元素分布を特性化した。Cu原子の移動は遅延し,Cu原子はCu/SnBi/Cuのはんだ接合の内部にほとんど現れないことを示した。一方,Cu/Sn58Bi/Niはんだ接合において,Cu原子はBi原子よりも著しく速く移動した。その理由は,Cu/SnBi/Niはんだ継手が基板からはんだ継手へ移動するNi原子により安定なIMC(Cu,Ni)6Sn5を有し,Cu6Sn5の亀裂伝搬と亀裂を抑制し,Cu/SnBi/Cuはんだ継手と比較して効果的に破壊挙動を遅らせた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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