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J-GLOBAL ID:201802241406916929   整理番号:18A0995551

電気化学的水素発生のためのMoS_2単分子層ナノシートの基底面の遷移金属原子ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Transition metal atom doping of the basal plane of MoS2 monolayer nanosheets for electrochemical hydrogen evolution
著者 (11件):
資料名:
巻:号: 21  ページ: 4769-4776  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7042A  ISSN: 2041-6539  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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MoS_2のBuLi剥離により調製したMoS_2単分子層ナノシートの広範囲に露出した基底面の表面サイトを,電気化学的水素発生反応(HER)に用いた2D単層触媒を生成するために初めて遷移金属原子をドープした。それらのHER活性は,対応する薄膜およびバルクMoS_2層より著しく高かった。HAADF-STEM画像は,単一遷移金属原子が表面基底サイトに存在することを示し,それはそれらの電子的および立体特異的性質に依存して,単分子層MoS_2の電気触媒活性を部分的に修飾した。これらのドーパントは,HER中の露出表面S原子とMo原子の水素吸着エンタルピーの調整に重要な役割を果たすことが分かった。電気化学的試験,特性化および計算モデリングを報告し,Coが支配的なCo-S相互作用によりHER活性を著しく高めるが,Niは同じ基底サイトでのNi-Mo相互作用によりHER速度を実質的に低下させることを示した。2つの遷移金属ドーパントは,それらが周期的表にあるという事実にもかかわらず,反対のドーピング挙動を示す。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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貴金属触媒  ,  電気化学反応  ,  その他の高分子の反応 

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