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J-GLOBAL ID：201802241442134563   整理番号：18A0401929

フローティングゲートMOSトランジスタの制御ゲートとして用いたフォトダイオードの解析と測定【Powered by NICT】

Analysis and measurement of a photo diode used as a control gate in a floating-gate MOS transistor

著者 (4件)： Dominguez-Sanchez Sergio (Electrical Engineering Department, CINVESTAV-IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico, D.F., 07360, Mexico) ,  Reyes-Barranca Mario Alfredo (Electrical Engineering Department, CINVESTAV-IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico, D.F., 07360, Mexico) ,  Mendoza-Acevedo Salvador (Department of Material Science and Engineering, University of Texas Dallas, 800 W. Campbell Rd., Richarson, TX 75080, USA) ,  Flores-Nava Luis Martin (Electrical Engineering Department, CINVESTAV-IPN, Av. IPN No. 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Mexico, D.F., 07360, Mexico)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 267  ページ： 210-234  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,フローティングゲートMOSトランジスタ(FGMOS)に関する新しい操作使用を報告した。CMOS集積光センサの典型的な開回路電圧(V_OC)はFGMOSのフローティングゲートに結合できることを実証した。いくつかの光センサ構造設計を検討し,測定した。結果は,トランジスタのしきい値電圧は結合電圧を増加させる光センサの直列アレイを持つ光学的に変調できることを示した。,CMOS技術と一体化したマイクロ太陽電池はFGMOSのI-V特性を調節する光学的代替を与え,それをプログラムし一般的に知られている注入現象を超えたこのデバイスの信頼性を拡張制御ゲートとして用いることができる。,ただ1つのトランジスタを用いた1トランジスタのみを用いたので画素設計におけるこの提案を使用する利便性を探索する機会,加算ノードとしてそのフローティングゲートを持つできる1つ以上の制御ゲート。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  画素 ,  信頼性 ,  *トランジスタ ,  *フローティングゲート ,  CMOS ,  太陽電池 ,  *フォトダイオード ,  *MOSFET ,  電流電圧特性 ,  光センサ ,  構造設計
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  閾値電圧 ,  *制御ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： フローティングゲートMOSトランジスタ ,  結合係数 ,  化学注入 ,  Fowler-Nordheim注入 ,  ホットエレクトロン注入 ,  フォトダイオード ,  アクティブピクセルセンサ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： フローティングゲート ,  MOSトランジスタ ,  制御ゲート ,  フォトダイオード ,  解析