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J-GLOBAL ID：201802241516467224   整理番号：18A1682566

非晶質シリコン堆積とアニーリングの組合せによるGe/Siナノ構造の増強された光応答【JST・京大機械翻訳】

Enhanced photoresponse of Ge/Si nanostructures by combining amorphous silicon deposition and annealing

著者 (6件)： Podolian A. (Department of Physics, Taras Shevchenko Kyiv National University, Kyiv 01601, Ukraine) ,  Nadtochiy A. (Department of Physics, Taras Shevchenko Kyiv National University, Kyiv 01601, Ukraine) ,  Korotchenkov O. (Department of Physics, Taras Shevchenko Kyiv National University, Kyiv 01601, Ukraine) ,  Romanyuk B. (V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Melnik V. (V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine) ,  Popov V. (V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 9  ページ： 095703-095703-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge-on-Siナノ構造における高キャリア再結合速度を抑制するために,Ge_xSi_1_xナノ島を,低圧CVDプロセスにより,薄い非晶質シリコン層により被覆した。キャップしたGe_xSi_1-_x/Siにおける表面光起電力(SPV)信号は,裸のGe_xSi_1-_x島のそれと比較して一桁増加し,これはa-Si/Ge_xSi_1-_x界面における再結合中心の効果的な不動態化に起因することを実証した。この効果は,O_2雰囲気環境での400°Cでのその後のアニーリング後にさらに強化され,信号は5から10倍に増加した。観測された増加した光起電力はSPV過渡現象におけるより長い時間減衰を伴い,アニーリング段階後に最も増加した。これらの結果は,光励起電子-正孔対が,a-Si/Ge_xSi_1-_x/c-Si界面における内部電場によって効率的に分離でき,Ge_xSi_1_x島または界面における再結合の減少を伴う光起電力に寄与できることを示した。本研究はGe/Siヘテロ構造の光起電力応用を容易にすることができる。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *ゲルマニウム ,  不動態化 ,  *ケイ素 ,  再結合中心 ,  光ポンピング ,  界面 ,  光起電力 ,  再結合 ,  キャリア再結合 ,  *アモルファスシリコン ,  過渡現象 ,  *焼なまし
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (9件)： 非晶質シリコン ,  堆積 ,  アニーリング ,  組合せ ,  Ge ,  Si ,  ナノ構造 ,  増強 ,  光応答