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J-GLOBAL ID：201802241533373954   整理番号：18A2030055

SIMSとX線反射率を用いたAl/ZrC界面の深さ分析【JST・京大機械翻訳】

Depth analysis of Al/ZrC interfaces using SIMS and x-ray reflectivity

著者 (5件)： Modi Mohammed H. (Soft X-ray Applications Lab, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore, 452013, India) ,  Sinha Mangalika (Soft X-ray Applications Lab, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore, 452013, India) ,  Bose Aniruddha (Superconducting Proton Linac Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore, 452013, India) ,  Singh Amol (National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, 30076, Taiwan) ,  Jonnard Philippe (Faculte des Sciences et Ingenierie, UMR CNRS, Laboratoire de Chimie Physique-Matiere et Rayonnement, Sorbonne Universite, 4 place Jussieu, F-75252, Paris cedex 05, France)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 50  号： 11  ページ： 1239-1242  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/ZrC/Al/W多層構造は,ナノメートル厚の層における波動場を閉じ込めるために,硬X線領域における導波路応用に適している。界面でのAlの混合は,実験的に成長した多層から期待される性能を達成するための重大な問題である。本研究では,C/Al/ZrC/Al/W導波路構造における炭素キャッピング層の効果を飛行時間二次イオン質量分析(SIMS)と軟X線反射率法を用いて決定した。層の密度,厚さ,粗さなどの構造パラメータを軟X線反射率データを用いて決定した。SIMSの結果は,スタックの上部へのAl拡散が導波路構造における広い非対称界面の形成の原因であることを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *反射率 ,  軟X線 ,  *深さ分析 ,  硬X線 ,  表面粗さ ,  導波路 ,  *界面 ,  非対称性 ,  炭素 ,  構造パラメータ ,  多層
準シソーラス用語： TOF-SIMS ,  キャップ層 ,  *X線反射率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： SIMS ,  X線反射率 ,  Al ,  界面 ,  深さ分析