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J-GLOBAL ID：201802241627240277   整理番号：18A0799018

InAs/GaAsN/GaAs結合量子ドットの垂直歪誘起ドットサイズ均一性と熱安定性【JST・京大機械翻訳】

Vertical strain-induced dot size uniformity and thermal stability of InAs/GaAsN/GaAs coupled quantum dots

著者 (7件)： Biswas Mahitosh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400076, India) ,  Singh Sandeep (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400076, India) ,  Balgarkashi Akshay (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400076, India) ,  Makkar Roshan (Photonics Division, Society for Applied Microwave Engineering Electronics and Research, IIT Powai Campus, Mumbai, 400076, India) ,  Bhatnagar Anuj (Photonics Division, Society for Applied Microwave Engineering Electronics and Research, IIT Powai Campus, Mumbai, 400076, India) ,  Sreedhara Sheshadri (Department of Mechanical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400076, India) ,  Chakrabarti Subhananda (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai, 400076, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 748  ページ： 601-607  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs層厚を変化させ,その光学的性質を調べることにより,10層InAs/GaAsN/GaAs量子ドット(QD)を初めて報告した。底面から上部への歪場の伝搬により,自己集合QDの多重積層は,ドットサイズ均一性をもたらす表面上のQDの特別な秩序化を助ける。2/10nmのGaAsN/GaAsスペーサをもつInAs結合QDは,狭い線幅と低いAs関連深準位欠陥ピーク強度をもつ二モード分布を示し,QDの良好な光学品質に起因した。Raman分光法におけるN様局所振動モードは,QDヘテロ構造に用いられるGaAsN層の10周期のために,10個の振動縞から成ることが分かった。より高い歪結合は,より低い結合と比較して,アニーリング温度の上昇とともに,より小さい青方偏移をもたらし,結合QDの熱安定性をもたらした。狭い線幅と熱安定性を示す結合QDを光検出器の作製に用いることができた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 自己集合 ,  *ヒ化ガリウム ,  光学的性質 ,  Raman分光法 ,  *ヒ化インジウム ,  振動モード ,  深い準位 ,  *熱安定性 ,  光検出器 ,  青方偏移 ,  多層膜 ,  層厚 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  線幅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： GaAsN ,  結合量子ドット ,  ドットサイズ均一性 ,  深いレベルの欠陥 ,  局所振動モード ,  歪結合 ,  熱安定性

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： InAs ,  GaAs ,  結合量子ドット ,  垂直歪 ,  誘起 ,  ドット ,  サイズ ,  均一性 ,  熱安定性