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J-GLOBAL ID：201802241683428022   整理番号：18A1767522

平面アンチモン:h-BNと水素化SiC(0001)の理想的不活性基板【JST・京大機械翻訳】

Ideal inert substrates for planar antimonene: h-BN and hydrogenated SiC(0001)

著者 (5件)： Zhang Shuai (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Shandanan Str. 27, Jinan 250100, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Ma Yandong ,  Peng Rui ,  Huang Baibiao ,  Dai Ying
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 36  ページ： 23397-23402  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最も有望な二次元材料の一つとしての平面アンチネンは,最近,Ag(111)基板上で得られた[Y.Shao,Z.L.Liu,et al.,Nano Lett.,2018,18,2133]。しかし,その特殊な電子的性質は基板により著しく劣化し,更なる研究と実用化を困難にしている。ここでは,第一原理計算を用いて,h-BNと水素化SiC(0001)が平面アンチネンの異常な基板であることを提案した。平面アンチネンとのそれらの相互作用は,低い結合エネルギーと大きな層間距離を示し,典型的なvan der Waals相互作用である。最も重要なことに,Fermi準位近傍の平面アンチネンのバンドは完全に保存され,h-BNと水素化SiC(0001)のバンドはFermi準位から離れている。さらに,このような特徴は両方のシステムに対する積層パターンに不活性であり,それらを実際の応用に適している。著者らの結果は,平面アンチネンの科学的および技術的影響を大いに広げるであろう。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  相互作用 ,  *水素化 ,  *炭化ケイ素 ,  計算 ,  Fermi準位 ,  van der Waals力 ,  層間隔
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  二次元材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： アンチモン ,  h-BN ,  水素化 ,  SiC ,  不活性