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J-GLOBAL ID：201802241817802345   整理番号：18A0971923

微傾斜SrTiO_3(110)基板を用いた金属-有機分解法によるc軸双晶構造を持たない(11N)配向Bi_2Sr_2CaCu_2O_8+x薄膜の調製【JST・京大機械翻訳】

Preparation of (11n) oriented Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+x thin films without c-axis twin structure by the metal-organic decomposition method using vicinal SrTiO₃ (110) substrates

著者 (5件)： Yamada Yasuyuki (Department of Innovative Electrical and Electronic Engineering, National Institute of Technology, Oyama College, 771 Nakakuki, Oyama, Tochigi 323-0806, Japan) ,  Kato Takahiro (Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Ishibashi Takayuki (Materials Science and Technology, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Okamoto Tomoichiro (Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan) ,  Mori Natsuki (Department of Innovative Electrical and Electronic Engineering, National Institute of Technology, Oyama College, 771 Nakakuki, Oyama, Tochigi 323-0806, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 015101-015101-10  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属分解法により(11n)配向Bi_2Sr_2CaCu_2O_8+x(Bi2212)薄膜を調製した。[110]方向に傾いたSrTiO_3(STO)の隣接(110)基板を,「C双晶化」を抑制するために用いた。O_2雰囲気中で調製した試料において,θ-2θX線回折パターンにおいて(11n)ピークのみが現れた。基板のミスカット角がφ=10°のときに,走査電子顕微鏡画像と(008)極点図により,c軸が約38°傾き,C双晶が実質的に抑制されることを示した。この試料のρ_abとρ_cを修正van der Pauw法と二次元抵抗テンソルの成分計算により計算した。超伝導転移温度はT_c=81Kであった。ρ_abの温度依存性は,Bi2212のab面の特性を反映する典型的な金属挙動であった。一方,ρ_cのそれはBi2212のc軸方向における典型的な半導体挙動にはならなかったが,それは金属挙動を示した。異方性パラメータγは約10であった。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  テンソル ,  *双晶 ,  極点図 ,  二次元 ,  軸方向 ,  *薄膜 ,  温度依存性 ,  半導体 ,  Bi2212 ,  超伝導転移温度 ,  双晶化
準シソーラス用語： SEM画像 ,  ミスカット ,  MOD法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機分解 ,  C軸 ,  配向 ,  薄膜 ,  調製