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J-GLOBAL ID：201802241821944925   整理番号：18A0511628

Si基板と影響基板の熱電輸送特性へのFe_2SiO_4薄膜の形成【Powered by NICT】

Formation of Fe₂SiO₄ thin films on Si substrates and influence of substrate to its thermoelectric transport properties

著者 (6件)： Choi Jeongyong (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan, Ulsan 44610, South Korea) ,  Nguyen Van Quang (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan, Ulsan 44610, South Korea) ,  Duong Van Thiet (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan, Ulsan 44610, South Korea) ,  Shin Yooleemi (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan, Ulsan 44610, South Korea) ,  Duong Anh Tuan (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan, Ulsan 44610, South Korea) ,  Cho Sunglae (Department of Physics and Energy Harvest Storage Research Center, University of Ulsan, Ulsan 44610, South Korea)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 532  ページ： 80-83  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe_2SiO_4薄膜を,分子ビームエピタクシーによりn型,p型及び半絶縁性Si(100)基板上に成長させた。Fe-O薄膜を300°CでSi(100)基板上に堆積したとき,膜はSiと反応し,FeとSiの間の高い反応性のためにFe_2SiO_4膜をもたらした。成長したFe_2SiO_4薄膜の電気抵抗とSeebeck係数は異なったドーピング状態で異なっていた。n型及びp型Si(100)上では,電気抵抗は急激に減少し,350および250Kで再び増加したが,半絶縁性Si(100)上に,典型的な半導体性挙動を示した。はn型及びp型Si(100)上の温度依存Seebeck係数の350~250Kで同様のクロスオーバを観察した。これらの結果は,測定された電気的および熱電特性をSi基板に由来することを示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  反応性 ,  *鉄 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  MBE成長 ,  ドーピング ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 熱電特性 ,  クロスオーバー ,  Seebeck係数 ,  シリコン(100) ,  半絶縁性 ,  *輸送特性 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Fe_3O_4 ,  Fe_2SiO_4 ,  熱電気 ,  薄膜

分類 (5件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si基板 ,  輸送特性 ,  薄膜