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J-GLOBAL ID：201802242101969869   整理番号：18A1900273

マイクロビアにおけるSiC/Cuの共堆積に及ぼすCTABの二重効果【JST・京大機械翻訳】

Dual Effects of CTAB on Co-deposition of SiC/Cu in Micro Via

著者 (5件)： Wu Houya (College of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha, China) ,  Wang Fuliang (College of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha, China) ,  Wang Yan (College of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha, China) ,  Zhu Wenhui (College of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha, China) ,  Li Zhiyi (College of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEPT  ページ： 1317-1321  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路(IC)デバイスの三次元(3D)パッケージングにおいて,インターコネクタを介したマイクロは最も重要な部品である。インターコネクタによるマイクロの信頼性は,3Dパッケージングのコア問題である。それは,共蒸着プロセスによってナノ複合材料によってマイクロビアを満たすための革新的アイデアであり,したがって,インターコネクタの熱特性を改良した。しかし,金属とナノ粒子との共蒸着は,2つの困難さを克服する必要がある。1)マイクロビアの非欠陥充填;2)金属層に組み込まれたナノ粒子の含有量。マイクロビアにおける非欠陥充填を達成するために,電着に対する抑制効果を有する添加物を見出し,ナノ複合材料中のナノ粒子の含有量を増加させるためのナノ粒子への表面改質効果を見出すことが重要である。本研究では,マイクロビアにおけるSiC/Cuの共蒸着に及ぼす抑制剤および界面活性剤としてのセチルトリメチルアンモニウムブロミド(CTAB)の二重効果を調べた。実験結果は,CTABが電着に及ぼす抑制効果を持つことを示して,マイクロビアの非欠陥充填は,電着浴にCTABを加えることによって達成した。ナノ複合材料中のSiCナノ粒子の含有量は,共析出浴にCTABを添加することによって強化された。マイクロビアのナノ複合材料中のSiCの体積率(vol%)は,CTAB濃度が0g/Lから0.3g/Lに増加すると,6.4vol%から12.91vol%に増加した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三次元 ,  抑制剤 ,  *銅 ,  *炭化ケイ素 ,  界面活性剤 ,  同時蒸着 ,  表面改質 ,  ナノ複合材料 ,  体積率 ,  電着 ,  集積回路 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 共析出 ,  インターコネクタ ,  *マイクロビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： マイクロビア ,  SiC ,  Cu ,  堆積 ,  CTAB ,  二重効果