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J-GLOBAL ID：201802242163122031   整理番号：18A0532448

超高電圧SiC電力デバイスの現状と展望【Powered by NICT】

Current status and perspectives of ultrahigh-voltage SiC power devices

著者 (2件)： Kimoto T. (Department of Electronic Science & Engineering, Kyoto University, A1 Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Yonezawa Y. (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba West, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 78  ページ： 43-56  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC材料と超高電圧デバイスの最近の進歩をレビューした。材料問題に関して,高純度エピタキシャル層の高速エピタキシャル成長と基底面転位の減少は著しい進歩を行った。0.1cm~ 2の基底面転位密度が1×10~14cm~ 3に意図的にドープした厚さ100μmのエピタキシャル層の成長技術を確立した。キャリア寿命をいくつかの方法で増強される著しくと寿命制御の試験は成功した。非常に厚い(>100μm)と高純度エピタキシャル層を用いて,絶縁ゲートバイポーラトランジスタ,サイリスタ,バイポーラ接合トランジスタと金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのような1527kV SiC PINダイオードと種々のスイッチング素子を実証した。これら超高電圧デバイスの性能は有望であるが,性能と信頼性のさらなる改良であるシステム応用に必須である。材料とデバイス作製の両方における技術的課題を議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイポーラトランジスタ ,  ドーピング ,  転位密度 ,  信頼性 ,  キャリア寿命 ,  サイリスタ ,  半導体 ,  IGBT ,  エピタクシー ,  スイッチング素子 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  高純度 ,  *パワーデバイス ,  *UHV【電圧】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭化けい素 ,  パワーデバイス ,  バイポーラ素子 ,  絶縁破壊 ,  キャリア寿命

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  光電デバイス一般  (NC03081P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧 ,  SiC ,  電力デバイス ,  現状 ,  展望