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J-GLOBAL ID：201802242447746375   整理番号：18A1903070

Bi_1/2Na_1/2TiO_3ベースのリラクサ強誘電体における三状態強誘電メモリと歪メモリ【JST・京大機械翻訳】

Tristate ferroelectric memory and strain memory in Bi_1/2Na_1/2TiO₃-based relaxor ferroelectrics

著者 (6件)： Zhang Huazhang (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Zhou Jing (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Shen Jie (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Wang Tianheng (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Xie Dandan (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China) ,  Chen Wen (State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, and School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 15  ページ： 152902-152902-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi_1/2Na_1/2TiO_3(BNT)ベースのリラクサ強誘電体の三状態強誘電メモリと歪メモリを提案した。これらのメモリ効果は,二重様P-Eヒステリシスループと明らかな非零残留分極を持つBNTベース材料で実現できる。リラクサ状態が二つの強誘電残留状態間の中間的安定状態として働く基礎となる三重井戸自由エネルギー景観は,このような強誘電挙動の原因と考えられ,三状態強誘電メモリ効果に対する基礎を与えると考えられる。さらに,歪記憶効果はリラクサと強誘電状態の間の固有歪差を利用する。Bi_1/2(Na_0.8K_0.2)_1/2(Ti_0.955Fe_0.030Nb_0.015)O_3セラミックに関する実験的検証は,三状態強誘電体メモリと歪メモリが提案されるように操作でき,両方の効果のプログラム可能性と保持能力がかなり良いことを示した。本研究は,多状態強誘電体メモリと形状記憶圧電アクチュエータ応用への容易なアプローチを提供する。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： FeRAM ,  自由エネルギー ,  記憶効果 ,  残留分極 ,  *記憶装置 ,  セラミック ,  形状記憶効果 ,  *リラクサ
準シソーラス用語： 圧電アクチュエータ ,  固有歪 ,  ヒステリシスループ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (2件)： リラクサ強誘電体 ,  歪