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J-GLOBAL ID:201802242500843284   整理番号:18A0857958

0.8および20A g(-1)におけるリチオ化および脱リチオ化中のSi/Geコア/シェルナノワイヤヘテロ構造の劣化【JST・京大機械翻訳】

Degradation of Si/Ge core/shell nanowire heterostructures during lithiation and delithiation at 0.8 and 20 A g-1
著者 (4件):
資料名:
巻: 10  号: 16  ページ: 7343-7351  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Si/Geコア/シェルナノワイヤヘテロ構造は,Siの大きな容量とGeの高い電気的およびイオン伝導性のために,リチウムイオン電池アノードに対して高いエネルギーと電力密度を提供することが期待されている。Si/Geコア/シェルナノワイヤヘテロ構造の電池アノード性能が特性化されているが,Si/Geコア/シェルナノワイヤヘテロ構造の劣化は完全には研究されていない。ここでは,異なる充電速度におけるリチオ化と脱リチオ化のサイクルにわたるSi/Geコア/シェルナノワイヤのヘテロ構造の組成と構造変化を報告する。Si/Geコア/シェルナノワイヤヘテロ構造は,50サイクルまでの0.8Ag(-1)の充電速度でコアとシェル構造を保持した。一方,Siの組成的相互混合と損失は,50サイクル以内に20Ag~(-1)の充電速度で起こる。運転条件依存劣化は,長いサイクル寿命を有する高性能リチウムイオン電池アノードの開発のための材料研究の新しい側面を提供する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
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