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J-GLOBAL ID：201802242639530903   整理番号：18A1384883

ポリSi無接合薄膜トランジスタのチャネル厚みとドレインバイアスに対するサブ熱電子スイングの依存性【JST・京大機械翻訳】

Dependence of Sub-Thermionic Swing on Channel Thickness and Drain Bias of Poly-Si Junctionless Thin-Film Transistor

著者 (5件)： Ma William Cheng-Yu (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Wang Jia-Yi (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Wang Hsiao-Chun (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Huang Yan-Jia (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Yu Li-Wei (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 8  ページ： 1122-1125  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面構造を有する多結晶シリコン(ポリSi)接合レス(JL)薄膜トランジスタ(TFT)と60mV/10年未満のサブ閾値スイング(S.S.)を示す超薄チャネル膜厚~1.5nmを実証した。ポリSi JL-TFTのS.S.は異常なドレイン電圧依存性を示し,より高いドレイン電圧はより小さなS.S.に導く。最小S.S.このレターで観察された(s.s._min)は約30mV/10年であり,それは記録的に低いS.S._minであった。poly-Si JL-TFTのサブ60mV/10年S.S.は,オフ状態でのドレイン側の高い横電場から生じる衝撃イオン化効果に起因する。従来の反転モードトランジスタとは異なり,そのピンチオフ点はオフ状態よりもON状態で観測される。横電場もチャネル厚さの減少と共に増加することが分かり,結果として,チャネル厚さが薄い場合には衝撃イオン化効果がより顕著になる。このレターは,JLトランジスタのための新しい概念を示し,ポリSi JL-TFTの開発と3-D集積回路と不揮発性メモリの応用に役立つ。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  衝突イオン化 ,  膜厚 ,  電場 ,  *バイアス ,  ピンチオフ ,  不揮発性メモリ ,  *チャネル ,  集積回路 ,  電圧依存性 ,  *トランジスタ ,  *接合 ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： オフ状態 ,  ドレイン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ポリSi ,  薄膜トランジスタ ,  チャネル ,  厚み ,  ドレイン ,  バイアス ,  サブ ,  スイング ,  依存性