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J-GLOBAL ID：201802242785854083   整理番号：18A1942098

パワーLDMOSにおけるホットキャリア劣化:ドレインバイアス依存性と寿命評価【JST・京大機械翻訳】

Hot-Carrier Degradation in Power LDMOS: Drain Bias Dependence and Lifetime Evaluation

著者 (8件)： Tallarico Andrea Natale (Department of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Advanced Research Center on Electronic System, University of Bologna, Cesena, Italy) ,  Reggiani Susanna (Department of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Advanced Research Center on Electronic System, University of Bologna, Cesena, Italy) ,  Depetro Riccardo (Technology Research and Development, STMicroelectronics, Agrate Brianza, Italy) ,  Manzini Stefano (Technology Research and Development, STMicroelectronics, Agrate Brianza, Italy) ,  Torti Andrea Mario (Technology Research and Development, STMicroelectronics, Agrate Brianza, Italy) ,  Croce Giuseppe (Technology Research and Development, STMicroelectronics, Agrate Brianza, Italy) ,  Sangiorgi Enrico (Department of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Advanced Research Center on Electronic System, University of Bologna, Cesena, Italy) ,  Fiegna Claudio (Department of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Advanced Research Center on Electronic System, University of Bologna, Cesena, Italy)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 11  ページ： 5195-5198  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しい発電電力横方向二重拡散MOSFET(LDMOS)トランジスタにおけるホットキャリア応力により誘起される劣化の解析を示した。比較的高いドレイン電圧をON状態領域の間に適用すると,高エネルギーおよび/または複数の低温電子がLDMOS寿命に影響する劣化の主な原因として認識される:後者は典型的な動作ドレイン電圧で通常外挿される。したがって,外挿基準は特に重要であり,異なるモデルが過去に提案され,この簡潔に議論されている。特に,ドレインバイアスに対するON抵抗劣化(R_ON)の依存性を調べ,長い応力時間におけるR_ONの飽和効果を説明する単純化外挿モデルを提案し,実験および先進物理ベースTCADシミュレーションと比較して検証し,短絡源-体接触を特徴とするデバイス上の寿命を正確に推定する能力を確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  寿命評価 ,  オン抵抗 ,  *ホットキャリア ,  低温 ,  *バイアス ,  シミュレーション ,  外挿法 ,  簡素化
準シソーラス用語： TCAD ,  オン状態 ,  ドレイン電圧 ,  発電電力 ,  *バイアス依存性 ,  *LDMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワー ,  LDMOS ,  ホットキャリア ,  ドレイン ,  バイアス依存性 ,  寿命評価