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J-GLOBAL ID：201802242858736858   整理番号：18A1941163

InGaAsSb量子井戸と共振器構造抑制による高性能連続波InPベース2.1μm超発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

High performance continuous-wave InP-based 2.1 μm superluminescent diode with InGaAsSb quantum well and cavity structure suppression

著者 (11件)： Wang Dongbo (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhang Jinchuan (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Hou Chuncai (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhao Yue (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Cheng Fengmin (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Jia Xuefeng (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhai Shenqiang (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhuo Ning (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liu Junqi (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liu Fengqi (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wang Zhanguo (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, P.O. Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 16  ページ： 161107-161107-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続波(CW)モードにおける高出力パワーをもつ広帯域スペクトル電気励起InPベース超発光ダイオードを報告した。量子井戸の最適化された活性領域と高品質は,波長を制御し,大きなモード利得を得るために保証される。3種類の共振器構造を設計し,レーザ発振モードの兆候なしに強い増幅自然放出を可能にする反射の強い抑制を提供した。全ての素子スペクトルは2.1μm付近に中心があり,低注入電流では,最も広いスペクトルの半値全幅(FWHM)は99nmであった。より高い出力パワーのための導波路構造の最適化の後,最大CW出力は,300Kでの単一出力ファセットにおける2つのローブ遠方場パターンと41nmのFWHMにおいて,30mWまで上げられた。本研究は,InP材料システムに基づく小型で効率的な光源を実証するための道を開くために非常に重要である。成熟素子作製プロセス,特に埋込みヘテロ構造とのInP材料適合性を考慮すると,素子特性はより良く改善され,応用に対してより有望である。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *連続波 ,  最適化 ,  遠方場 ,  *共振器 ,  *発光ダイオード ,  *量子井戸 ,  レーザ発振 ,  利得 ,  ファセット ,  励起 ,  FWHM ,  光源 ,  スペクトル
準シソーラス用語： ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子井戸 ,  共振器 ,  連続波 ,  InP ,  発光ダイオード