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J-GLOBAL ID：201802242953629561   整理番号：18A0942137

Hf_0.5Zr_0.5O_2強誘電体FET不揮発性メモリ性能における中間層の重要な役割【JST・京大機械翻訳】

Critical Role of Interlayer in Hf_0.5Zr_0.5O₂ Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance

著者 (9件)： Ni Kai (Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Sharma Pankaj (Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Zhang Jianchi (Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Jerry Matthew (Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Smith Jeffery A. (Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA) ,  Tapily Kandabara (LLC, TEL Technology Center, America, Albany, NY, USA) ,  Clark Robert (LLC, TEL Technology Center, America, Albany, NY, USA) ,  Mahapatra Souvik (Electrical Engineering Department, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Datta Suman (Electrical Engineering Department, University of Notre Dame, Notre Dame, IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 6  ページ： 2461-2469  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ応用のためのHf_0.5Zr_0.5O_2(HZO)ベースの強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)の臨界設計基準を作製し,特性化し,確立した。消去(プログラム)パルスにより誘起された強誘電(FE)/中間層(IL)界面近傍の電子(正孔)トラッピングからのV_THシフトと,分極スイッチングからのV_THシフトを定量化し,真のメモリウィンドウ(MW)を決定した。このデバイスは,85°Cで10年までの外挿保持を示し,IL破壊により開始された5×10~6サイクルまでの耐久性を示した。部分分極スイッチングの10~12サイクルまでの耐久性を,ILの不在下で金属-FE-金属キャパシタにおいて示した。ゲートスタックにおける電界分布を定量化するために,包括的な金属-FE-絶縁体-半導体FeFETモデルを開発し,IL設計ガイドラインを確立して,MW,保持特性,およびサイクル耐久性を著しく強化した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  半導体 ,  コンデンサ ,  耐久性 ,  パルス ,  分極反転 ,  絶縁体 ,  設計基準 ,  正孔 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 設計指針 ,  電界分布 ,  ゲートスタック ,  *中間層 ,  *FeFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体FET ,  不揮発性メモリ ,  中間層 ,  役割