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J-GLOBAL ID：201802242959384583   整理番号：18A1002733

高フルエンス3.5MeVおよび27MeV電子で照射したAs成長および酸素ドープ浮遊帯シリコンにおける常磁性欠陥の生成とアニーリング【JST・京大機械翻訳】

Production and annealing of the paramagnetic defects in as-grown and oxygen doped floating zone silicon irradiated with high fluence 3.5 MeV and 27 MeV electrons

著者 (4件)： Joita A.C. (National Institute of Materials Physics, Atomistilor 405A, POB MG-7, Magurele, Ilfov 077125, Romania) ,  Joita A.C. (University of Bucharest, Faculty of Physics, Magurele, Ilfov, Romania) ,  Nistor S.V. (National Institute of Materials Physics, Atomistilor 405A, POB MG-7, Magurele, Ilfov 077125, Romania) ,  Nistor S.V. (University of Bucharest, Faculty of Physics, Magurele, Ilfov, Romania)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 83  ページ： 1-11  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高フルエンス3.5MeV(1×10~17cm-2)の低エネルギーと27MeV(2×10~16cm-2)の高エネルギー電子により室温で照射した成長時,標準浮遊帯シリコン(STFZ)と酸素ドープ浮遊帯シリコン(DOFZ)の照射常磁性点欠陥(IPPD)の生成と熱安定性を電子スピン共鳴(ESR)により調べた。照射したままと300°Cまでの温度でアニールしたIPPDの性質と濃度は,ギャップ1.06μmのin situレーザ照射の下でのESR測定により,酸素濃度と電子エネルギーに依存することが分かった。主なIPPDとして生成された電子によるSTFZの照射の間,二空格子点,大きな四空格子点および五空格子点クラスタ欠陥の他に,DOFZの照射は主に二空格子点,空格子点-酸素および格子間酸素-炭素不純物対をもたらした。取り込まれた酸素の濃度による主な結果として生じるIPPDの性質における観察された変化は,支配的な欠陥生成機構の違いによって説明される。従って,低い酸素濃度(1×10~16cm-3)を持つSTFZにおいて,支配的な生成機構は,高エネルギー照射粒子の経路を横切る二次反跳のカスケードによる隣接空孔の鎖からの直接欠陥形成と,二空格子点拡散とトラッピング/凝集である。一方,より大きな酸素含有量(1.2×10~17cm~3)を有するDOFZでは,酸素と炭素不純物による一次空孔と格子間トラッピングが支配的な欠陥生成機構である。等時アニーリング中に観測されたIPPDの濃度と性質の変化を,欠陥熱活性化拡散と再結合過程の観点から議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸素 ,  レーザ照射 ,  再結合 ,  *常磁性 ,  凝集 ,  *ドーピング ,  熱安定性 ,  クラスタ ,  不純物 ,  *焼なまし ,  *フルエンス ,  炭素 ,  *浮遊
準シソーラス用語： トラッピング ,  生成機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電子スピン共鳴 ,  シリコン ,  照射欠陥 ,  多空格子点

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： フルエンス ,  電子 ,  成長 ,  酸素 ,  ドープ ,  浮遊 ,  シリコン ,  常磁性 ,  欠陥 ,  アニーリング