フィールドプレート構造を用いたPt/Mg<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O/ZnO Schottky障壁フォトダイオードの作製と特性評価

ENDO Haruyuki; TAKAHASHI Kyo; KASHIWABA Yasube

文献

J-GLOBAL ID：201802242999719100 整理番号：18A0910938

フィールドプレート構造を用いたPt/Mg_xZn_1-xO/ZnO Schottky障壁フォトダイオードの作製と特性評価

Fabrication and characterization of a Pt/Mg_xZn_1-xO/ZnO Schottky barrier photodiode utilizing a field plate structure

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資料名：
巻： 57 号： 4S ページ： 04FG08.1-04FG08.5 発行年： 2018年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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光導電素子

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フィールドプレート構造を用いたPt/MgxZn1-xO/ZnO Schottky障壁フォトダイオードの作製と特性評価

フィールドプレート構造を用いたPt/Mg_xZn_1-xO/ZnO Schottky障壁フォトダイオードの作製と特性評価