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J-GLOBAL ID：201802242999869850   整理番号：18A0129362

剥離の過程におけるβSi_3N_4/ダイヤモンド界面の原子構造とポテンシャルエネルギー:第一原理研究【Powered by NICT】

Atomic structure and potential energy of β-Si₃N₄/diamond interface in the process of detachment: A first-principles study

著者 (8件)： Chen Naichao (School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China) ,  Chen Naichao (Shanghai Key Laboratory of Materials Protection and Advanced Materials in Electric Power, Shanghai, 200090, China) ,  Chen Yingchao (School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China) ,  Ai Jun (School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China) ,  Li Cheng (School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China) ,  He Ping (School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China) ,  Ren Jianxing (School Energy and Mechanical Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai, 200090, China) ,  Zhu Quanjun (Global Energy Interconnection Research Institute, Beijing, 102211, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 434  ページ： 211-214  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 剥離は被覆の応用のための主要な技術障壁として見なされている。多くの因子は,被覆の剥離に影響する。それらの中で,皮膜と基板の間の界面特性は重要な役割を果たしている。本研究では,βSi_3N_4/ダイヤモンド界面は,試料を第一原理計算によって剥離の過程における原子構造とポテンシャルエネルギーの変化を調べるために行った。βSi_3N_4/ダイヤモンド(2×2)結晶単位を計算モデルとして用いた。剥離は各段階の0.1Åによるダイヤモンドから離れたβSi_3N_4を繰り上げてシミュレートした。結果は,剥離の開始は界面における結合は,一定の長さ,ばねのような拡張よりもむしろを保つことを示した。βSi_3N_4とダイヤモンドとの間の距離は,ある距離に達すると,界面結合が突然破壊し,伸長したβSi_3N_4は元の像二表面間の界面は剥離を制御するためにしきい値が存在することを示した。外部力がこのしきい値以下の場合,被覆の剥離は生じない。しかし,外力がこの1より大きいと,剥離は直ちに示すだろう。界面は剥離のプロセス,実験的観測とよく一致する脆性破壊を示した。一方,van der Waals相互作用と量子効果の間の異なる物理的性質は剥離の過程における過渡状態をもたらし,界面結合は破壊されてしまうが,接着強さはその低い負吸着エネルギーのためにまだ強力である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子効果 ,  *ダイヤモンド ,  脆性破壊 ,  吸着エネルギー ,  被覆 ,  *原子構造 ,  結晶 ,  *ポテンシャルエネルギー ,  過渡現象 ,  *第一原理 ,  計算モデル ,  接着強さ ,  *界面
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  界面特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： インタフェイス ,  ダイヤモンド ,  βSi_3N_4 ,  脱離 ,  接着エネルギー

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 過程 ,  ダイヤモンド ,  界面 ,  原子構造 ,  ポテンシャルエネルギー ,  第一原理 ,  研究