酸性H2O2溶液中でのGaAsとInPのナノスケールエッチング  動力学と表面化学における顕著なコントラスト【JST・京大機械翻訳】

van Dorp Dennis H.; Arnauts Sophia; Laitinen Mikko; Sajavaara Timo; Meersschaut Johan; Conard Thierry; Holsteyns Frank; Kelly John

文献

J-GLOBAL ID：201802243119822723 整理番号：18A2043955

酸性H2O2溶液中でのGaAsとInPのナノスケールエッチング動力学と表面化学における顕著なコントラスト【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale Etching of GaAs and InP in Acidic H₂O₂ Solution: A Striking Contrast in Kinetics and Surface Chemistry

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資料名：
巻： 282 ページ： 48-51 発行年： 2018年
JST資料番号： T0583A ISSN： 1012-0394 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

本研究では,最先端のデバイス技術に対するナノスケールエッチングの研究において,表面酸化物の性質の重要性を,2つのIII-V材料に対して実証した。過酸化水素の酸性溶液中のGaAsとInPのエッチング速度は著しく異なる。GaAsエッチははるかに速いが,エッチング速度のH+濃度依存性は二つの半導体で著しく異なる。表面分析技術はエッチング後の表面組成に関する情報を提供した:GaAs上の強い非化学量論的多孔質(水)酸化物とInP上にブロッキング層を形成する薄い化学量論的酸化物。結果を理解することを可能にする反応スキーム,特にエッチ速度の重要な違いと2つの半導体の溶解における塩化物の対照的役割を提供した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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固体デバイス製造技術一般

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酸性H2O2溶液中でのGaAsとInPのナノスケールエッチング 動力学と表面化学における顕著なコントラスト【JST・京大機械翻訳】

酸性H2O2溶液中でのGaAsとInPのナノスケールエッチング動力学と表面化学における顕著なコントラスト【JST・京大機械翻訳】