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J-GLOBAL ID：201802243532141696   整理番号：18A1211104

空間変調JTEとキャリア注入制御による27.5kV 4H-SiC pinダイオード【JST・京大機械翻訳】

27.5 kV 4H-SiC PiN diode with space-modulated JTE and carrier injection control

著者 (12件)： Nakayama Koji (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Mizushima Tomonori (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Takenaka Kensuke (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Koyama Akihiro (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Kiuchi Yuji (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Matsunaga Shinichiro (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Fujisawa Hiroyuki (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Hatakeyama Tetsuo (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Takei Manabu (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Yonezawa Yoshiyuki (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science & Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto, Japan) ,  Okumura Hajime (Advanced Power Electronics Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 395-398  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空間変調接合終端拡張とキャリア注入制御を有する超高電圧4H-SiC PiNダイオードを研究した。空間変調領域の導入は27.5kVの高い絶縁破壊電圧をもたらし,20Aクラス4H-SiC PiNダイオードで報告された値の中で最高であった。キャリア注入制御による4H-SiC PiNダイオードのシミュレーションと測定した順方向特性も報告した。キャリア寿命が増加すると順方向電圧とオン抵抗は減少した。アノードとカソード側でのキャリア注入制御の導入はキャリア濃度の減少をもたらす。測定した特性はシミュレーション結果と良い相関を示した。これらの結果に基づいて,電気特性に及ぼすキャリア寿命の影響を確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  接合 ,  電圧 ,  電気特性 ,  アノード ,  キャリア寿命 ,  キャリア密度 ,  *キャリア注入 ,  カソード ,  オン抵抗 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  UHV【電圧】 ,  *4H-SiC ,  *空間変調 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 空間変調 ,  キャリア ,  注入制御 ,  4H-SiC ,  PINダイオード