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J-GLOBAL ID：201802243696950422   整理番号：18A0400235

グラフェン電界効果トランジスタの電子的性質に及ぼす歪誘起変調の研究【Powered by NICT】

Investigation of strain-induced modulation on electronic properties of graphene field effect transistor

著者 (5件)： Dong Jinyao (School of Mechanical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Liu Shuai (School of Mechanical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Fu Yongzhong (School of Mechanical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Wang Quan (School of Mechanical Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, PR China) ,  Wang Quan (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, PR China)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 381  号： 4  ページ： 292-297  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは二次元ハニカム配置に配列されたsp-2-結合炭素原子を持つ単一シートとして考えられてきた。本研究では,Si/SiO_2懸濁数層グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)を実証し,懸垂したグラフェンの歪効果を特性化するためにRaman分光法を利用した。グラフェン表面上の引張歪のためにRaman Gピークと2Dピークに現れる赤方偏移ことを見出した。に加えて,ここではまた,四プローブ配置における出力特性曲線(I sd V sd)と伝達特性曲線(I sd V g)を測定した。GFETの入出力曲線に基づいて,歪みのないと歪によるグラフェンの抵抗は~28×103Ωと~31×103Ωに等しいであった。Ramanスペクトルにより計算したグラフェンの引張歪値と組み合わせて,グラフェン圧電抵抗感度係数GF=~21。これらの結果は,高性能のグラフェン電子部品の製造のための理論的基礎を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャラクタリゼーション ,  *グラフェン ,  二次元 ,  電気的性質 ,  プローブ ,  電子部品 ,  懸濁液 ,  Raman分光法 ,  赤方偏移
準シソーラス用語： 圧電抵抗 ,  引張歪 ,  歪効果 ,  数層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  内部歪 ,  Raman特性 ,  電気的性質

分類 (2件)： プラズマ平衡・閉込め  (BJ02070P) ,  プラズマ一般  (BJ02010B)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  電子 ,  性質 ,  歪 ,  誘起 ,  変調 ,  研究