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J-GLOBAL ID：201802244106975485   整理番号：18A1143267

酸素化非晶質炭素電気化学金属化デバイスにおける不揮発性および揮発性メモリ挙動【JST・京大機械翻訳】

Non-volatile and volatile memory behaviour in oxygenated amorphous carbon electrochemical metallisation devices

著者 (5件)： Murdoch B. J. (School of Science, RMIT University, VIC 3001 Melbourne, Australia) ,  Raeber T. J. (School of Science, RMIT University, VIC 3001 Melbourne, Australia) ,  Barlow A. J. (Centre for Materials and Surface Science (CMSS), Department of Chemistry and Physics, La Trobe University, VIC 3086 Melbourne, Australia) ,  McCulloch D. G. (School of Science, RMIT University, VIC 3001 Melbourne, Australia) ,  Partridge J. G. (School of Science, RMIT University, VIC 3001 Melbourne, Australia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 24  ページ： 242903-242903-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素化非晶質炭素電気化学金属化デバイスの抵抗スイッチング挙動を調べた。酸素化炭素マトリックスの微細構造と組成に及ぼす温度の影響も透過型電子顕微鏡でその場アニーリングにより調べた。デバイスは,デバイスの抵抗状態とRESET電圧の極性に依存する制御可能な双極性不揮発性および双方向性の揮発性抵抗スイッチング挙動を示した。提示された特性は,記憶セル,選択装置,またはシナプスエミュレータとしての神経形態計算と記憶技術への組込みのための適合性を示唆する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸素化 ,  *揮発性 ,  適応性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *非揮発性 ,  電圧 ,  *メタライゼーション ,  *炭素 ,  焼なまし ,  記憶素子 ,  *電気化学 ,  微細構造
準シソーラス用語： 双方向性 ,  抵抗スイッチング ,  *アモルファスカーボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸素化 ,  非晶質炭素 ,  電気化学 ,  金属化 ,  不揮発性 ,  揮発性メモリ ,  挙動