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J-GLOBAL ID:201802244183707307   整理番号:18A1861545

ルチルおよび溶融シリカ基板上にスピンコートしたTiO_2薄膜の汚染【JST・京大機械翻訳】

Contamination of TiO2 thin films spin coated on rutile and fused silica substrates
著者 (8件):
資料名:
巻: 354  ページ: 369-382  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,空気中,200°,350°,450°,550°Cで8時間アニールした,研磨しない溶融シリカ(FS)と研磨しない(001)ルチル上に被覆したTiO_2薄膜のデータを報告した。特性化/試験は,すれすれ角X線回折,レーザRaman分光,原子間力顕微鏡,UV-Vis分光測光,X線光電子分光,二次イオン質量分析,透過型電子顕微鏡,およびメチレンブルー(MB)光分解から成った。再結晶は基板のタイプに依存し,そこではFS基板は限られた結晶性(200°Cで非晶質)と厚さ~160~200nmのSi汚染アナターゼ膜を生成したが,ルチル基板は~200~300nm厚さの良く結晶化したエピタキシャル膜をもたらした。Si粒界拡散係数は4.59×10~19m~2s(200°C)と5.00×10~19m~2s(550°C)であった。この拡散機構は,MB水溶液試験前後のXPSデータにより支持され,Si汚染が結晶粒界にあり,試験中に浸出することを示唆した。すべての膜の厚さはアニーリング温度が増加するとわずかに増加し,これは結晶粒の再配列と成長に起因した。全ての膜の光透過は低く,反射率は高く,これは膜の粗さと凹凸に起因した。透過と反射分光法からの光学間接バンドギャップ(E_g)はアナターゼ膜では減少したが,アニーリング温度の上昇と共にルチル膜では増加した。これらの傾向は,再結晶とE_g減少がアナターゼに対して支配的であるが,ボイド形成とE_g増加がルチルに対して支配的である競合機構の優位性を反映している。アナターゼ膜の光触媒性能はルチル膜のそれより優れていた。性能はアニーリング温度に対応し,結晶化度に直接関係し,他の因子が性能データと一致しないので,表面積(粗さと凹凸により反映される)はより小さくなった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  光化学一般 

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