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J-GLOBAL ID：201802244193816617   整理番号：18A1144257

低いベース広がり抵抗を持つマルチフィンガーSiC BJTにおけるオン状態特性に及ぼす指数の影響【JST・京大機械翻訳】

Impacts of Finger Numbers on ON-State Characteristics in Multifinger SiC BJTs With Low Base Spreading Resistance

著者 (3件)： Asada Satoshi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Suda Jun (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 7  ページ： 2771-2777  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウムイオン注入を用いることにより,ベース拡散抵抗が十分に低減されるマルチフィンガー10kVクラスSiCバイポーラ接合トランジスタ(BJT)におけるON状態特性に及ぼすフィンガ数の影響を,TCADシミュレーションを行うことにより調べた。コレクタ層における異なるベース電流密度とキャリア寿命を有するBJTの共通エミッタ電流-電圧特性を解析した。シミュレーション結果は,より少ない指数を持つBJTが,伝導率変調領域の拡大と指当たりのより高い電流密度により,優れた特性を達成できることを示した。さらに,パンチスルー構造を持つBJTは,強い伝導率変調が起こる特定の条件下でのパワーデバイス応用に適した優れた特性を達成する可能性を持つことを示した。提示した結果は,適切な指数がマルチフィンガーSiC BJTのより良い性能のために設計されるべきであることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アルミニウム ,  シミュレーション ,  電流密度 ,  パンチスルー ,  *広がり抵抗 ,  イオン注入 ,  *炭化ケイ素 ,  キャリア寿命 ,  バイポーラトランジスタ
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  伝導率 ,  エミッタ電流 ,  TCAD ,  拡散抵抗 ,  *オン状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 広がり抵抗 ,  マルチ ,  SiC ,  BJT ,  オン状態 ,  指数