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J-GLOBAL ID：201802244218941424   整理番号：18A0446792

はんだリフローのための認定された埋め込まれた垂直STT-MRAM技術に及ぼす外部磁場の影響【Powered by NICT】

Impact of external magnetic field on embedded perpendicular STT-MRAM technology qualified for solder reflow

著者 (20件)： Wang Chia-Yu (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Shih Meng-Chun (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Lee Yung-Huei (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Wang Wayne (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Thomas Luc (TDK-Headway Technologies, Inc., Milpitas, CA 95035) ,  Lee Yuan-Jen (TDK-Headway Technologies, Inc., Milpitas, CA 95035) ,  Liu Huanlong (TDK-Headway Technologies, Inc., Milpitas, CA 95035) ,  Zhu Jian (TDK-Headway Technologies, Inc., Milpitas, CA 95035) ,  Jan Guenole (TDK-Headway Technologies, Inc., Milpitas, CA 95035) ,  Wang Allen (TDK-Headway Technologies, Inc., Milpitas, CA 95035) ,  Zhong Tom (TDK-Headway Technologies, Inc., Milpitas, CA 95035) ,  Wang Po-Kang (TDK-Headway Technologies, Inc., Milpitas, CA 95035) ,  Lin Derek (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Chen Chia-Hsiang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Chang Chih-Yang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Weng Chih-Hui (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Chiang Tien-Wei (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Shen Kuei-Hung (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Gallagher William J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300) ,  Chuang Harry (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, 121, Park Ave. 3, Hsinchu Science Park, Taiwan 300)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 21.1.1-21.1.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 書き込み,260°Cはんだリフローに適し垂直STT-MRAMのための読み出し動作下で外部磁場抵抗は初めて報告された包括的である。は最も重要な偏光方向が最終自由層方向と底部ピン止め層方向とは対照的に,外部磁場と反平行状態への平行から描画であることを示した。スイッチへの自由層の破壊は,予期しないピン止め層反転よりもむしろ主要な原因であることが分かった。さらに,温度,書き込み条件とMTJ膜スタックを含む種々の重要な因子は,ここで研究した。最後に,0.001ppmの低チップ故障率は85°Cで240Oeまでの外部磁場のためのECCスキームで達成できることを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 故障率 ,  *外部磁場 ,  ピン止め ,  偏光 ,  スイッチ ,  *リフロソルダリング
準シソーラス用語： 自由層 ,  読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： はんだリフロー ,  認定 ,  垂直 ,  STT-MRAM ,  外部磁場