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J-GLOBAL ID：201802244452680559   整理番号：18A1488445

3段階成長プロセスの間の変動Ga濃度を通して生成したCIGS薄膜とデバイス性能【JST・京大機械翻訳】

CIGS thin film and device performance produced through a variation Ga concentration during three-stage growth process

著者 (5件)： Jseng Yi-Yen (National Chung-Shan Institute of Science and Technology, No.481, 6th Neighborhood, Sec. Jia’an, Zhongzheng Rd., Longtan Dist., Taoyuan 32546, Taiwan, ROC) ,  Jseng Yi-Yen (Department of Industrial and Systems Engineering, Chung Yuan Christian University, No.200, Chung Pei Rd, Chung Li, Taoyuan 32023, Taiwan, ROC) ,  Chao Chin-Jung (Department of Industrial and Systems Engineering, Chung Yuan Christian University, No.200, Chung Pei Rd, Chung Li, Taoyuan 32023, Taiwan, ROC) ,  Sung Huan-Hsin (GeniRay Technology Corporation, 6F-2, No. 9, Wuquan 1st Rd., Xinzhuang Dist., New Taipei City, Taiwan, ROC) ,  Chen Tien-Ching (GeniRay Technology Corporation, 6F-2, No. 9, Wuquan 1st Rd., Xinzhuang Dist., New Taipei City, Taiwan, ROC)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 87  ページ： 162-166  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)吸収体をMo被覆ソーダ石灰ガラス基板上に共蒸着により成長させた。CIGSにおけるいくつかのタイプのGa分布を,第1および第3段階で[Ga]/([In]+[Ga])比を調整することによって調べた。膜の電気的性質も決定した。キャリア濃度はGa含有量の増加と共に増加した。[Ga]/([In]+[Ga])比(0.36)が第1および第3段階で0.4:0.3であるとき,8.46×10~15cm~3の最高キャリア濃度が得られた。適切な[Ga]/([In]+[Ga]比,バンドギャップ勾配分布および低い再結合速度)のために,12.5%の最良の素子変換効率が達成された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  被覆 ,  電気的性質 ,  バンドギャップ ,  モリブデン ,  *ガリウム ,  ソーダ石灰ガラス ,  *薄膜 ,  同時蒸着 ,  吸収体
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  変換効率 ,  再結合速度 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 共蒸発プロセス ,  GA勾配 ,  CIGS太陽電池

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 段階 ,  成長 ,  プロセス ,  Ga ,  CIGS ,  薄膜