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J-GLOBAL ID：201802244588900608   整理番号：18A1997401

STT-MRAM内での高信頼性および低電力コンピューティング-イン-メモリ実装【JST・京大機械翻訳】

A high-reliability and low-power computing-in-memory implementation within STT-MRAM

著者 (7件)： Zhang Liuyang (Fert Beijing Institute and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Deng Erya (Fert Beijing Institute and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Cai Hao (National ASIC System Engineering Center, Southeast University, Nanjing, 210096, China) ,  Wang You (Fert Beijing Institute and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China) ,  Torres Lionel (LIRMM, University of Montpellier, CNRS, Montpellier, 34095, France) ,  Todri-Sanial Aida (LIRMM, University of Montpellier, CNRS, Montpellier, 34095, France) ,  Zhang Youguang (Fert Beijing Institute and School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, 100191, China)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 81  ページ： 69-75  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のVon-Neumannコンピュータアーキテクチャでは,プロセッサとメモリ間の制限された帯域幅のために,より多くのエネルギーと時間が計算そのものよりもむしろデータ転送により消費される。このため,計算のいくつかの特定の種類をメモリに移動させることにより,この問題を効果的に処理するために,計算機メモリ(CIM)を提案した。しかし,それは,信頼性とコストを考慮するとき,実際に使用されていない数十年にわたって提案されてきた。不揮発性メモリの出現により,CIMは問題に取り組むために関心を集めている。本論文では,ST-MRAM(Spin Transfer Torque Magnetic Random-Access Memory)におけるComRef(Complementary Reference)を実装し,その信頼性と性能をDualRef(Dual Reference)CIM実装と比較した。シミュレーション結果は,ComRefが明らかに,動作誤差率の67.1%を減少させ,センシングマージンの57.4%まで増加させることにより,信頼性を明らかに改善することを明らかにした。それは,動作遅れの20.8%(~41.1ps)の切断により,ビットごとの論理演算を加速する。最も重要なことに,それは平均動的エネルギーの23.4%と平均静的電力の65.6%を減少させることによって非常にエネルギー効率が高い。ComRefは,ST-MRAMの中で高信頼性と低電力CIMパラダイムを実行するための経路を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 帯域幅 ,  計算機アーキテクチャ ,  エネルギー効率 ,  *電力 ,  演算プロセッサ ,  データ転送 ,  不揮発性メモリ ,  計算機械 ,  *記憶装置 ,  シミュレーション ,  *信頼性 ,  論理演算
準シソーラス用語： *低電力化 ,  *高信頼性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： メモリ(CIM)の計算 ,  不揮発性メモリ(NVM) ,  STT-MRAM ,  記憶壁

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： STT-MRAM ,  高信頼性 ,  低電力 ,  コンピューティング ,  実装