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J-GLOBAL ID：201802244609059200   整理番号：18A1317277

InGaN/GaN多重量子井戸の電子注入発光特性に及ぼす障壁層厚さの影響及び機構を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Barrier Thickness Designing of InGaN/GaN Multiple Quantum Well for Electroluminescence

著者 (4件)： Huang Jialin (中国農業大学応用物理系,北京,100083) ,  Yi Linkai (中国農業大学応用物理系,北京,100083) ,  Zhou Mei (中国農業大学応用物理系,北京,100083) ,  Zhao Degang (中国科学院半導体研究所集成光電子学国家重点実験室,北京,100083)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 39  号： 2  ページ： 208-213  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： InGaN/GaN多重量子井戸の電子注入発光特性に及ぼす障壁厚の影響を調べた。実験結果から,GaN障壁層の厚みが6nmから24nmに増加すると,障壁厚のサンプルの発光強度がより強く,注入電流が増加すると,障壁厚が適切に増加することがわかった。更に,発光ピークとスペクトル幅の結合により,応力及び分極効果の存在により,障壁層の厚みが624nmの範囲内にあることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光 ,  分極 ,  スペクトル ,  電流 ,  *多重量子井戸 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 発光強度 ,  *バリア層 ,  *発光特性 ,  *電子注入 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaN/GaN ,  multiple quantum wells ,  barrier thickness ,  electroluminescence

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  電子注入 ,  発光特性 ,  障壁層 ,  厚さ