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J-GLOBAL ID：201802244609870770   整理番号：18A1028313

低温PECVDによるGaAs上の結晶シリコンの直接成長:III-V/Siタンデム電池のためのハイブリッドトンネル接合に向けて【JST・京大機械翻訳】

Direct growth of crystalline silicon on GaAs by low temperature PECVD: Towards hybrid tunnel junctions for III-V/Si tandem cells

著者 (10件)： Hamon G. (TOTAL New Energies, 24 cours Michelet, 92069 Paris La De ́fense Cedex, France) ,  Decobert J. (III-V lab, route de Nozay, 91460 Marcoussis, France) ,  Vaissiere N. (LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite ́ Paris-Saclay, 91128, Palaiseau, France) ,  Lachaume R. (GeePs; CNRS UMR 8507; CentraleSupe ́lec; Univ Paris-Sud; Sorbonne Universite ́s-UPMC Univ Paris 06; 11 rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France) ,  Cariou R. (LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite ́ Paris-Saclay, 91128, Palaiseau, France) ,  Chen W. (LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite ́ Paris-Saclay, 91128, Palaiseau, France) ,  Alvarez J. (GeePs; CNRS UMR 8507; CentraleSupe ́lec; Univ Paris-Sud; Sorbonne Universite ́s-UPMC Univ Paris 06; 11 rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France) ,  Habka N. (TOTAL New Energies, 24 cours Michelet, 92069 Paris La De ́fense Cedex, France) ,  Kleider J.P. (GeePs; CNRS UMR 8507; CentraleSupe ́lec; Univ Paris-Sud; Sorbonne Universite ́s-UPMC Univ Paris 06; 11 rue Joliot-Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France) ,  i Cabarrocas P. Roca (LPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, Universite ́ Paris-Saclay, 91128, Palaiseau, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-VとSiのモノリシック集積は,高変換効率に達するタンデム太陽電池を製造するための強い関心事である。フランスのANR研究プロジェクトの文脈において,III-V/Si多接合太陽電池のための革新的なアプローチを研究した。標的化したデバイスは,III-Vトップセル(AlGaAs)とIVボトムセル(Si_1-xGex_x)から成るタンデムセルである。トップ材料としてのAl_yGa_1-yAsの選択は,Si_1-xGe_x(1.63eV/0.96eV)との最適バンドギャップ組合せを提供し,そのようなタンデム配置に対して42%を超える理論的効率を有するために正当化される。著者らの反転変成法において,最初にMOVPEを用いて格子整合GaAs基板上にAlGaAsトップセルを成長させ,次に,低温PECVDヘテロエピタキシャルSiGeを上部に実行した。ここでは,Si(PECVD)/III-V(MOVPE)界面の最初の構造的および電気的特性化を示した。さらに,GaAs上の低温PECVDによる高ドープ結晶Siのエピタキシャル成長は,低抵抗率と高電流のハイブリッドトンネル接合を作製することを可能にし,タンデムIII-V/Si太陽電池の二つのサブセルを相互接続するのに適している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *直列接続 ,  *電池 ,  界面 ,  *トンネル接合 ,  格子整合 ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *プラズマCVD ,  *低温 ,  相互接続 ,  *ケイ素 ,  ドーピング ,  *ヒ化ガリウム ,  太陽電池
準シソーラス用語： タンデム太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  PECVD ,  GaAs ,  結晶シリコン ,  成長 ,  Si ,  タンデム ,  電池 ,  トンネル接合