文献

J-GLOBAL ID：201802244696203050   整理番号：18A1777767

シリコン系分子接合の電子輸送におけるポリオキソメタラートの分子署名【JST・京大機械翻訳】

Molecular signature of polyoxometalates in electron transport of silicon-based molecular junctions

著者 (8件)： Laurans Maxime (Sorbonne Universite, CNRS, Institut Parisien de Chimie Moleculaire, IPCM, 4 Place Jussieu, F-75005 Paris, France. [e-mail]) ,  Dalla Francesca Kevin ,  Volatron Florence ,  Izzet Guillaume ,  Guerin David ,  Vuillaume Dominique ,  Lenfant Stephane ,  Proust Anna
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 36  ページ： 17156-17165  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリオキソ金属酸塩(POM)は,分子メモリへの応用に対する大きな可能性を有する非通常の電気活性分子であり,電極上への効率的な処理段階を提供する。水素化n-Si(100)基板上への共有結合固定化と共に,遠隔ジアゾニウム機能を付与した有機-無機ポリオキソ金属酸塩ハイブリッド[PM_11O_39{Sn(C_6H_4)C≡C(C_6H_4)N_2}]3-(M=Mo,W)の合成を報告した。上部電極として水銀滴と接触した結果として生じる密度充填単分子層を通る電子輸送測定は,それらの均一性を確認した。Simmonの方程式による電流-電圧曲線の調整により,polyoxoタングステン酸塩(M=W)およびポリオキソモリブデン酸塩(M=Mo)に基づくシリコン-分子-金属(SMM)接合に対して,それぞれ1.8eVおよび1.6eVの平均トンネルエネルギー障壁Φ_POMが得られた。これは,溶液中のPOMの電気化学的性質で観察された傾向に従い,ポリオキソモリブデン酸塩は,低エネルギーの最低非占有分子軌道(LUMOs)と一致して,polyoxoタングステン酸塩よりも還元が容易である。POMの分子的特徴は,固体電気的性質において明確に同定可能であり,POM分子と電子構造の不整合多様性は,大きなモジュール性を提供するはずである。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 液滴 ,  記憶装置 ,  *接合 ,  電圧 ,  電流 ,  *ケイ素 ,  水素化 ,  単分子層 ,  タングステン酸塩 ,  モリブデン酸塩 ,  不整合
準シソーラス用語： *ポリオキソメタレート ,  低エネルギー ,  エネルギー障壁 ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  分子接合 ,  電子輸送 ,  ポリオキソメタラート ,  分子署名