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J-GLOBAL ID：201802244830084684   整理番号：18A0426507

内部と外部炭素源の相乗作用による6H-SiCのSi面上のグラフェンの新しい直接成長法【Powered by NICT】

A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources

著者 (9件)： Yang Zhiyuan (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China) ,  Xu Shicai (Shandong Provincial Key Laboratory of Biophysics, College of Physics and Electronic Information, Dezhou University, Dezhou, 253023, PR China) ,  Zhao Lili (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China) ,  Zhang Jing (Shandong Provincial Key Laboratory of Biophysics, College of Physics and Electronic Information, Dezhou University, Dezhou, 253023, PR China) ,  Wang Zhengping (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China) ,  Chen Xiufang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China) ,  Cheng Xiufeng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China) ,  Yu Fapeng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China) ,  Zhao Xian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 436  ページ： 511-518  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは様々な分野での応用の可能性,その超特性に起因している有望な二次元材料であり,高いキャリア移動度,化学的安定性,および光学透明性などを含む。本論文では,6H-SiCのSi面上にグラフェンを成長させるために内部と外部炭素相乗作用(IECS)法を報告する。この方法は炭化けい素をベースとした化学蒸着(CVD)および伝統的なエピタキシャル成長(EG)の利点,SiC基板上にグラフェンを成長するための実現可能な方法を提供することを組み合わせた。グラフェンは3分以内に合成した,これは伝統的なEG法による6H-SiC基板上に成長させたグラフェンよりも一桁以上速かった。成長温度がEGプロセスよりも~200°C低かった。直接成長させたグラフェンは半導体技術,グラフェンベースマイクロエレクトロニクスデバイスでの使用に有益であるとの互換性を維持した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相乗作用 ,  互換性 ,  *ケイ素 ,  化学蒸着 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン ,  炭化ケイ素 ,  エピタクシー ,  半導体技術 ,  炭化ケイ素基板 ,  化学的安定性 ,  二次元材料 ,  *炭素源
準シソーラス用語： 透明性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン ,  6H-SiC ,  XPS ,  Raman分光法 ,  A FM

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭素源 ,  相乗作用 ,  6H-SiC ,  Si ,  グラフェン ,  成長