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J-GLOBAL ID：201802244886537394   整理番号：18A0199081

従来のSiベースSGMOSFET上のサブ10nm GaNベースDG-MOSFETの素子性能の影響【Powered by NICT】

Influence of device performance of Sub-10 nm GaN-based DG-MOSFETs over conventional Si-based SG-MOSFETs

著者 (1件)： Hasan Md. Rokib (Department of Electrical and Electronic Engineering, American International University Bangladesh, Ka-66/1, Kuratoli Road, Kuril, Khilkhet, Dhaka 1229, Bangladesh)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICAEE  ページ： 697-702  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 調査は,従来のSiベース単一ゲート(SG)MOSFET上のサブ10nm GaNを基本とする二重ゲート(DG)MOSFETで実施した。投影装置はSilvaco ATLASとそれに続くNEGF法を用いてL_g=7.3nmと9.3nmゲート長GaNベースDG-MOSFETのために設計した。一次目標は,単一(SG)上の二重ゲート(DG)をSCE(短期短チャネル効果の)を低減することであった。研究はシミュレーションの結果に基づく電場のサブしきい値勾配(SS),ION,ドレイン誘起障壁低下(DIBL)とスイッチング挙動であった。GaNをベースにしたDG-MOSFETは,従来のSi系SGMOSFETよりも良好な改善結果を示した。GaNをベースにしたDG-MOSFETは優れたオン状態電流と高速スイッチング性能のために従来のSi系SGMOSFET上で注目を集めている。デバイス設計と性能に対する達成可能な移動度の影響をVLSI応用のための有望な候補としてGaNベースDG-MOSFETを主張している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移動度 ,  スイッチング ,  電場 ,  電流 ,  短チャネル効果 ,  高速度 ,  超LSI ,  *MOSFET ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： デバイス設計 ,  オン状態 ,  DIBL ,  サブ閾値 ,  ゲート長 ,  二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  サブ ,  GaN ,  dG ,  MOSFET