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J-GLOBAL ID：201802244993273789   整理番号：18A0910897

低エネルギーBF₂イオン注入によるソース接合を用いたGe-on-InsulatorトンネルFETの高性能化

Performance enhancement of Ge-on-Insulator tunneling FETs with source junctions formed by low-energy BF₂ ion implantation

著者 (5件)： KATOH Takumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MATSUMURA Ryo (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGUCHI Ryotaro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FD15.1-04FD15.6  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *フッ化ホウ素 ,  *イオン注入 ,  *イオン ,  ソース【半導体】 ,  *ゲルマニウム ,  基板 ,  *FET【トランジスタ】 ,  特性
準シソーラス用語： *低エネルギーイオン ,  *トンネルFET ,  デバイス特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低エネルギー ,  イオン注入 ,  ソース ,  Ge ,  トンネルFET ,  高性能化